Вышедшие номера
Исследование объемного радиационного переноса тепла в кристалле и расплаве с помощью численного моделирования при выращивании кристаллов сапфира методом Степанова
Переводная версия: 10.1134/S1063784220080198
Васильев М.Г.1, Бахолдин С.И.1, Крымов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vasiliev.mg@yandex.ru
Поступила в редакцию: 4 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 11 февраля 2020 г.
Принята к печати: 17 февраля 2020 г.
Выставление онлайн: 21 апреля 2020 г.

Методом численного моделирования изучен эффект объемного радиационного переноса тепла при выращивании профилированных кристаллов сапфира из расплава. Рассмотрены особенности структуры световодного потока в кристалле и расплаве, а также возможность появления радиационной неустойчивости границы раздела фаз. Показано наличие переохлажденных областей под фронтом кристаллизации, размер которых зависит от скорости выращивания. Установлено, что использование конструкции конического формообразователя привело к более устойчивому процессу выращивания. Ключевые слова: сапфир, метод Степанова (EFG), радиационное переохлаждение расплава.