Исследование формирования слоев станната цинка методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Налимова С.С.1, Шомахов З.В.2, Мошников В.А.1, Бобков А.А.1, Рябко А.А.1, Калажоков З.Х.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова, Нальчик, Россия
Email: sskarpova@list.ru
Поступила в редакцию: 23 июля 2019 г.
В окончательной редакции: 19 января 2020 г.
Принята к печати: 27 января 2020 г.
Выставление онлайн: 7 апреля 2020 г.
Рассмотрены особенности формирования наноструктур станната цинка, представляющих интерес для сенсорики, солнечной энергетики и проводящей прозрачной электроники. Образцы получены гидротермальным методом с использованием наностержней оксида цинка в качестве шаблона при вариации времени синтеза и исследованы с помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Показано, что данный метод может быть использован для анализа особенностей образования станната цинка. Ключевые слова: рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, оксид цинка, станнат цинка, гидротермальный синтез.
- Gopel W., Hesse J., Zemel J.N. In: Sensors: A Comprehensive Survey / Ed. by Gopel W. VCH, Weinheim. 1991
- Мясников И.А., Сухарев В.Я., Куприянов Л.Ю., Завьялов С.А. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях. М.: Наука, 1991. 327 c
- Kononova I.E., Vorobiev D.M., Dimitrov D.Tz., Georgieva A.Ts., Moshnikov V.A. // Bulg. Chem. Commun. 2016. Vol. 48. N 2. P. 225--231
- Burmistrov I.N., Varezhnikov A.S., Musatov V.Y., Lashkov A.V., Gorokhovsky A.V., Yudinceva T.I., Sysoev V.V. // IEEE SENSORS --- Proceedings. 2015. Vol. 14. P. 7370586
- Chizhov A.S., Rumyantseva M.N., Vasiliev R.B., Filatova D.G., Drozdov K.A., Krylov I.V., Marchevsky A.V., Karakulina O.M., Abakumov A.M., Gaskov A.M. // Thin Solid Films. 2016. Vol. 618. P. 253--262
- Рембеза С.И., Свистова Т.В., Аль-Тамееми В.М., Овсянников С.В., Багнюков К.Н. // Вестник Воронежского гос. тех. ун-та. 2013. Т. 9. N 6--1. С. 95--98
- Fedorov F., Vasilkov M., Lashkov A., Varezhnikov A., Fuchs D., Kubel C., Bruns M., Sommer M., Sysoev V. // Sci. Reports. 2017. Vol. 7. P. 9732
- Tamaki J., Maekawa Т., Miura N., Yamazoe N. // Sens. Act. B. 1992. P. 197--203
- Rumyantseva M.N., Labeau M., Delabouglize G., Ryabova L.I., Kutsenok I., Gaskov A.M. // J. Mater. Chem. 1997. Vol. 7. N 9. P. 1785--1790
- Сычев М.М., Минакова Т.С., Слижов Ю.Г., Шилова О.А. Кислотно-основные характеристики поверхности твердых тел и управление свойствами материалов и композитов. СПб.: Химиздат, 2016. 276 с
- Божинова А.С., Канева Н.В., Кононова И.Е., Налимова С.С., Сюлейман Ш.А., Папазова К.И., Димитров Д.Ц., Мошников В.А., Теруков Е.И. // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 12. С. 1662--1666. [ Bozhinova A.S., Kaneva N.V., Syuleiman S.A., Papazova K.I., Dimitrov D.T., Kononova I.E., Nalimova S.S., Moshnikov V.A., Terukov E.I. // Semiconductors. 2013. Vol. 47. N 12. P. 1636--1640.]
- Baruah S., Dutta J. // Sci. Technol. Adv. Mater. 2011. Vol. 12. N 1. P. 013004
- Ko J.H., Kim I.H., Kim D., Lee K.S., Lee T.S., Cheong B., Kim W.M. // Appl. Surf. Sci. 2007. Vol. 253. N 18. P. 7398--7403
- Patil L.A., Pathan I.G., Suryawanshi D.N., Bari A.R., Rane D.S. // Proced. Mater. Sci. 2014. Vol. 6. P. 1557--1565
- Налимова С.С., Максимов А.И., Матюшкин Л.Б., Мошников В.А. // ФХС. 2019. Т. 45. N 4. С. 311--325
- Men H., Gao P., Zhou B., Chen Y., Zhu C., Xiao G., Wang L., Zhang M. // Chem. Commun. 2010. Vol. 46. P. 7581--7583
- Налимова С.С., Мошников В.А., Максимов А.И., Мякин С.В., Казанцева Н.Е. // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 8. С. 1022--1026. [ Nalimova S.S., Moshnikov V.A., Maksimov A.I., Mjakin S.V., Kazantseva N.E. // Semiconductors. Vol. 47. N 8. P. 1022--1026.]
- Duan J.-F., Hou S.-C., Chen S.-G., Duan H.-G. // Mater. Lett. 2014. Vol. 122. P. 261--264
- Jain V.K., Kumar P., Kumar M., Jain P., Bhandari D., Vijay Y.K. // J. Alloy. Compd. 2011. Vol. 509. P. 3541--3546
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
