Вышедшие номера
Формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками cухим селективным травлением через маску из фоторезиста
Переводная версия: 10.1134/S1063784220060195
Лебедева Н.М.1, Самсонова Т.П.1, Ильинская Н.Д.1, Трошков С.И.1, Иванов П.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Natali_lebedeva@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 января 2020 г.
В окончательной редакции: 15 января 2020 г.
Принята к печати: 28 января 2020 г.
Выставление онлайн: 24 марта 2020 г.

Продемонстрировано формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками с помощью селективного реактивно-ионного травления (Reactive Ion Etching, RIE) карбида кремния через маску из фоторезиста (наклонные стенки сформированы при одновременном травлении SiC и резистивной маски, край которой имеет форму острого клина). Простая геометрическая модель травления предсказывает, что результирующий угол наклона стенки мезаструктуры должен задаваться двумя параметрами - исходным углом резистивного клина и селективностью травления SiC по отношению к фоторезисту (отношением скоростей травления SiC и фоторезиста). Для экспериментов использовались полированные пластины 4H-SiC с ориентацией (0001). На Si-стороне пластин фотолитографическими методами были нанесены площадки из фоторезиста с краевым углом 22o. Затем проводилось травление мезаструктур в трифториде азота в установке с индуктивно-связанной плазмой. Были подобраны параметры RIE-процесса, обеспечивающие травление SiC и фоторезиста со скоростями 55 и 160 nm/min соответственно (селективность травления 1:3). Сформированные травлением SiC-мезаструктуры имеют высоту 3.2 μm и пологие боковые стенки с углом наклона около 8o. Данная технология может использоваться при изготовлении высоковольтных SiC-приборов с прямой фаской. Ключевые слова: карбид кремния, мезаструктура, наклонные стенки, фотолитография, реактивно-ионное травление.