Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2020, выпуск 5 » Статья стр. 835
<<<>>>
Локализация прохождения тока в термофотовольтаических преобразователях на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
DOI: 10.21883/JTF.2020.05.49187.14-19
Переводная версия: 10.1134/S1063784220050187
Матвеев Б.А.1,2, Ратушный В.И.3, Рыбальченко А.Ю.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "ИоффеЛЕД", Санкт-Петербург, Россия
3Волгодонский инженерно-технический институт --- филиал Национального исследовательского ядерного университета МИФИ, Волгодонск, Россия
Email: payalnik07@rambler.ru
Поступила в редакцию: 17 января 2019 г.
В окончательной редакции: 7 мая 2019 г.
Принята к печати: 13 ноября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
PDF версия
Исследованы основные электрические характеристики термофотовольтаических преобразователей, выполненных на основе двойных гетероструктур p-InAsSbP/n-InAs/n-InAsSbP с полностью либо частично удаленной подложкой в конструкции флип-чип. Показано влияние сопротивления разных частей структуры на пространственное распределение плотности тока в активной области, и определены условия для получения максимально эффективного сбора фототока/минимального сгущения линий тока. Ключевые слова: термофотовольтаический преобразователь, гетероструктуры InAsSbP/InAs, вольт-амперные характеристики, распределение плотности тока.
  1. Gladilin А.А., Gulyamova E.S., Danilov V.P., Il'ichev N.N., Kalinushkin V.P., Odin I.N., Pashinin P.P., Rezvanov R.R., Sidorin A.V., Studenikin M.I., Chapnin V.A., Chukich M.V. // Quant. Electron. 2016. Vol. 46. N 6. P. 545. http://dx.doi.org/10.1070/QEL1
  2. Гаврилов Г.А., Капралов А.Ф., Муратиков К.Л., Панютин Е.А., Сотников А.В., Сотникова Г.Ю., Шарофидинов Ш.Ш. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. Вып. 16. С. 11--19
  3. Fioravanti V., Brandhoff L., van den Driesche S., Breiteneder H., Kitzwogerer M., Hafner C., Vellekoop M.J. // Sensors. 2016. Vol. 16. N 10. P. 16. DOI: 10.3390/s161016
  4. Kohring M., Bottger S., Willer U., Schade W. // Sensors (Basel). 2015. Vol. 15. N 5. PMC4481913
  5. Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А. // ФТП. 2019. Т. 53. Вып. 2. С. 147--157
  6. Zymelka D., Matveev B., Aleksandrov S., Sotnikova G., Gavrilov G., Saadaoui M. // IOP J. Flexible and Printed Electron. 2017. Vol. 2. P. 045006. DOI: 10.1088/2058-8585/aa900a
  7. Zhou X., Meng X., Krysa A.B., Willmott J.R., Ng J.S., Tan C.H. // IEEE Sens. J. 2015. Vol. 15. N 10. P. 5555--5560
  8. Mauk M.G., Andreev V.M. // Semicond. Sci. Technol. 2003. Vol. 18. N 5. P. S191--S201
  9. Datas A. // Solar Energy Mater. Solar Cells. 2015. Vol. 134. N 1. P. 275--290
  10. Krier A., Yin M., Marshall A.R.J., Krier S.E. // J. Electron. Mater. 2016. ttp://dx.doi.org/10.1007/s11664-016-4373-0
  11. Матвеев Б.А., Ратушный В.И., Рыбальченко А.Ю. // ЖТФ. 2019. Т. 89. Вып. 8. С. 1239--1243
  12. Астахова А.П., Головин А.С., Ильинская Н.Д., Калинина К.В., Кижаев С.С., Серебренникова О.Ю., Стоянов Н.Д., Horvath Zs.J., Яковлев Ю.П. // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 2. С. 278--284
  13. Геворкян В.А., Арутюнян В.М., Гамбарян К.М., Аракелян А.О., Андреев И.А., Голубев Л.В., Яковлев Ю.П. // ЖТФ. 2007. Т. 77. Вып. 3. С. 49--54
  14. Ременный М.А., Карандашев С.А., Климов А.А., Майоров Н.С., Матвеев Б.А., Петров А.С. Труды XXV юбилейной Междунар. научно-технической конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения в 2-х томах. Т. 1. М.: Изд-во "ОФСЕТ МОСКВА", 2018. С. 77--79
  15. Ильинская Н.Д., Закгейм А.Л., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ратушный В.И., Ременный М.А., Рыбальченко А.Ю., Стусь Н.М., Черняков А.Е. // ФТП. 2012. Т. 46. Вып. 5. С. 708--713
  16. Закгейм А.Л., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Лавров А.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Усикова А.А., Черняков А.Е. // ФТП. 2017. Т. 51. Вып. 2. С. 269--275
  17. База данных New Semiconductor Materials. Biology systems. http://www.matprop.ru/
  18. Романов В.В., Иванов Э.В., Моисеев К.Д. // ФТТ. 2018. Т. 60. Вып. 3. С. 585--590
  19. Aidaraliev M., Zotova N.V., Il'inskaya N.D., Karandashev S.A., Matveev B.A., Remennyi M.A., Stus' N.M., Talalakin G.N. // Semicond. Sci. Technol. 2003. Vol. 18. P. 269--272
  20. Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашёв С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М. // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 6. С. 641--657
  21. Ильинская Н.Д., Карандашёв С.А., Карпухина Н.Г., Лавров А.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Усикова А.А. // Прикладная физика. 2014. N 6. С. 47--51
  22. Закгейм А.Л., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Черняков А.Е., Шленский А.А. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 5. С. 689--694
  23. Matveev B.A., Ankudinov A.V., Zotova N.V., Karandashev S.A., L'vova T.V., Remennyy M.A., Rybal'chenko A.Yu., Stus' N.M. // Proc. SPIE 7597. Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XVIII, 75970G (25 February 2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme