Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование элементарных процессов МOC-гидридной эпитаксии наногетероструктур на основе арсенида галлия методом атомно-силовой микроскопии
Переводная версия: 10.1134/S1063784220050035 
Болдыревский П.Б.
1, Филатов Д.О.
1, Филатов А.Д.1, Казанцева И.А.
1, Ревин М.В.1, Юнин П.А.
2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: bpavel2@rambler.ru, dmitry_filatov@inbox.ru, sasha.filatov.2017@bk.ru, kazantseva@phys.unn.ru, revinmaxim@gmail.com, yunin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 10 октября 2019 г.
В окончательной редакции: 10 октября 2010 г.
Принята к печати: 18 ноября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
С помощью атомно-силовой микроскопии исследованы элементарные процессы выращивания гетероструктур (Al,Ga,In)As на разориентированных подложках GaAs (001) методом MOC-гидридной эпитаксии при пониженном давлении. Установлено, что рост эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs происходит по слоисто-ступенчатому механизму с образованием макроступеней. Рост псевдоморфных слоев InGaAs/GaAs (001) также происходит по слоисто-ступенчатому механизму с образованием макроступеней. Однако если толщина псевдоморфного слоя InxGa1-xAs/GaAs (001) превышает некоторое критическое значение, зависящее от мольной доли InAs в составе твердого раствора (x), на поверхности слоя InGaAs наблюдается образование дефектов роста в виде трехмерных островков, плотность которых увеличивается с ростом толщины слоя InGaAs. Образование трехмерных островков InGaAs связано с релаксацией упругих напряжений в псевдоморфном слое InGaAs/GaAs (001) по механизму Странски-Крастанова. Ключевые слова: арсенид галлия, AlGaAs, InGaAs, MOC-гидридная эпитаксия, дефектообразование, механизм Странски-Крастанова.
- Stringfellow G.B. Organometallic Vapor-phase Epitaxy: Theory and Practice. Boston: Academic Press, 1999. 572 p
- Herman M.A., Richter W. Epitaxy-Physical Principles and Technical Implementation. Berlin-Sitter: Springer, 2004. 507 p
- Irvine S., Capper P., Kasap S., Willoughby A. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE): Growth, Materials Properties and Applications. Hoboken: Wiley, 2019. 424 p
- Ali F. HEMTs and HBTs: Devices, Fabrication, and Circuits. Norwood: Artech House, 1991. 392 p
- Pseudomorphic HEMT Technology and Applications. / Ed. by Ross R.L., Svensson S.P., Lugli P. Berlin--Heidelberg: Springer, 1996. 320 p
- Kapon E. Semiconductor Lasers. Boston: Academic Press, 1999. 453 p
- Giessibl F.J. // Rev. Modern Phys. 2003. Vol. 75. N 3. Р. 949--983
- Болдыревский П.Б., Филатов Д.О., Казанцева И.А., Смотрин Д.С., Ревин М.В. // Неорганические материалы. 2016. Т. 52. N 10. С. 1-6. [ Boldyrevskii P.B., Filatov D.O., Kazantseva I.A., Smotrin D.S., Revin M.V. // Inorganic Materials. 2016. Vol. 52. N 10. P. 985--989.]
- Болдыревский П.Б., Филатов Д.О., Казанцева И.А., Ревин М.В., Cмотрин Д.С., Юнин П.А. // ЖТФ. 2018. Т. 88. Вып. 2. С. 219--223. [ Boldyrevskii P.B., Filatov D.O., Kazantseva I.A., Revin M.V., Smotrin D.S., Yunin P.A. // Tech. Phys. 2018. Vol. 63. N 2. P. 211--215.]
- Magonov S.N. Surface Analysis with STM and AFM. Experimental and Theotetical Aspects of Image Analysis. Wienhelm: Wiley-VCH, 1996. 323 p
- Hata K., Shigekawa H., Ueda T., Akiyama M., Okano T. // Jpn. J. Appl. Phys. B. 2000. Vol. 39. Part 1. N 7. Р. 4404--4407
- Self-Assembled InGaAs/GaAs Quantum Dots. / Ed. Sugawara M. Boston: Academic Press, 2011. 384 p
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
