Вышедшие номера
Исследование элементарных процессов МOC-гидридной эпитаксии наногетероструктур на основе арсенида галлия методом атомно-силовой микроскопии
Переводная версия: 10.1134/S1063784220050035
Болдыревский П.Б. 1, Филатов Д.О. 1, Филатов А.Д.1, Казанцева И.А. 1, Ревин М.В.1, Юнин П.А. 2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: bpavel2@rambler.ru, dmitry_filatov@inbox.ru, sasha.filatov.2017@bk.ru, kazantseva@phys.unn.ru, revinmaxim@gmail.com, yunin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 10 октября 2019 г.
В окончательной редакции: 10 октября 2010 г.
Принята к печати: 18 ноября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.

С помощью атомно-силовой микроскопии исследованы элементарные процессы выращивания гетероструктур (Al,Ga,In)As на разориентированных подложках GaAs (001) методом MOC-гидридной эпитаксии при пониженном давлении. Установлено, что рост эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs происходит по слоисто-ступенчатому механизму с образованием макроступеней. Рост псевдоморфных слоев InGaAs/GaAs (001) также происходит по слоисто-ступенчатому механизму с образованием макроступеней. Однако если толщина псевдоморфного слоя InxGa1-xAs/GaAs (001) превышает некоторое критическое значение, зависящее от мольной доли InAs в составе твердого раствора (x), на поверхности слоя InGaAs наблюдается образование дефектов роста в виде трехмерных островков, плотность которых увеличивается с ростом толщины слоя InGaAs. Образование трехмерных островков InGaAs связано с релаксацией упругих напряжений в псевдоморфном слое InGaAs/GaAs (001) по механизму Странски-Крастанова. Ключевые слова: арсенид галлия, AlGaAs, InGaAs, MOC-гидридная эпитаксия, дефектообразование, механизм Странски-Крастанова.