Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2020, выпуск 4 » Статья стр. 598
<<<>>>
Об особенностях электронного транспорта в наноустройстве на основе молекулы, содержащей окислительно-восстановительный центр нитроамина
DOI: 10.21883/JTF.2020.04.49083.79-19
Переводная версия: 10.1134/S1063784220040180
Сергеев Д.М. 1,2
1Актюбинский региональный государственный университет им. К. Жубанова, Актобе, Казахстан
2Военный институт Сил воздушной обороны им. Т. Бегельдинова, Актобе, Казахстан
Email: serdau@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 марта 2019 г.
В окончательной редакции: 3 марта 2019 г.
Принята к печати: 21 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
PDF версия
В рамках теории функционала плотности в приближении локальной плотности и метода неравновесных гриновских функций (DFT + NEGF) исследован электронный транспорт в наноустройстве, состоящем из молекулы 2'-amino-4-ethynylphenyl-4'-ethynylphenyl-5'-nitro-1-benzenethiol, помещенного между электродами из золота. Рассчитаны вольт-амперные, dI/dV-характеристики, спектр пропускания и электронная плотность наноустройства. Показано, что вольт-амперная характеристика рассматриваемого наноустройства в интервале напряжений -0.8-0.9 V приобретает N-образную форму, и на ней появляется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, обусловленный резонансным туннелированием квазичастиц. Эти же изменения наблюдаются и на dI/dV-характеристике. Полученные результаты могут быть полезными для расчетов новых перспективных электронных переключательных устройств. Ключевые слова: электронный транспорт, наноконтакт, отрицательное дифференциальное сопротивление, вольт-амперная характеристика.
  1. Geim A.K., Grigorieva I.V. // Nature. 2013. Vol. 499. P. 419--425. DOI: 10.1038/nature12385
  2. Cuevas J.C., Scheer E. Molecular Electronics (An Introduction to Theory and Experiment). World Scientific, 2017. 848 p. DOI: https://doi.org/10.1142/10598
  3. Agrait N., Yeyati A.L., van Ruitenbeek J.M. // Phys. Rep. 2003. Vol. 377. P. 81--279. DOI: 10.1016/S0370-1573(02)00633-6
  4. Fuechsle M., Miwa J.A., Mahapatra S., Ryu H., Lee S., Warschkow O., Hollenberg L.C.L., Klimeck G., Simmons M.Y. // Nat. Nanotechnol. 2012. Vol. 7. P. 242--246. DOI: 10.1038/nnano.2012.21
  5. Сергеев Д.М. // Изв. вузов. Сер. физ. 2016. T. 59. N 3. С. 122--130 [ Sergeyev D. // Russ. Phys. J. 2016. Vol. 59. N 3. P. 456--465.] DOI: https://doi.org/10.1007/s1118
  6. Солдатов Е.С., Ханин В.В., Трифонов А.С., Губин С.П., Колесов В.В., Преснов Д.Е., Яковенко С.А., Хомутов Г.Б., Коротков А.Н. // УФН. 1998. Т. 168. N 2. С. 217--219. DOI: 10.3367/UFNr.0168.199802ab.0217 [ Soldatov E.S., Khanin V.V., Trifonov A.S., Gubin S.P., Kolesov V.V., Presnov D.E., Yakovenko S.A., Khomutov G.V., Korotkov A.N. // Phys. Usp. 1998. Vol. 41. P. 202--204.] DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000364
  7. Клавсюк А.Л., Колесников С.В., Смелова Е.М., Салецкий А.М. // ФТТ. 2011. T. 53. Вып. 11. С. 2237--2241. [ Klavsyuk A.L., Kolesnikov S.V., Smelova E.M., Saletsky A.M. // Phys. Solid State. 2011. Vol. 53. N 11. P. 2356--2360.] DOI: https://doi.org/10.1134/S106378341111014X
  8. Guisinger N.P., Greene M.E., Basu R., Baluch A.S., Hersam M.C. // Nano Lett. 2004. Vol. 4. P. 55--59. DOI: 10.1021/nl0348589
  9. Guisinger N.P., Basu R., Greene M.E., Baluch A.S., Hersam M.C. // Nanotechnology. 2004. Vol. 15. P. S452--S458. DOI: https://doi.org/10.1088/0957-4484/15/7/052
  10. Rakshit T., Liang G.Ch., Ghosh A.W., Datta S. // Nano Lett. 2004. Vol. 4. P. 1803--1807. DOI: 10.1021/nl049436t
  11. Houbertz R., Weber U., Hartmann U. // Appl. Phys. A. 1998. Vol. 66. P. S149--S152. DOI: https://doi.org/10.1007/s003390051
  12. Гатин А.К., Гришин М.В., Гуревич С.А., Дохликова Н.В., Кирсанкин А.А., Кожевин В.М., Колченко Н.Н., Ростовщикова Т.Н., Харитонов В.А., Шуб Б.Р., Явсин Д.А. // Изв. РАН. Сер. хим. 2014. Т. 8. С. 1696--1702. [ Gatin A.K., Grishin M.V., Gurevich S.A., Dokhlikova N.V., Kirsankin A.A., Kozhevin V.M., Kolchenko N.N., Rostovshchikova T.N., Kharitonov V.A., Shub B.R., Yavsin D.A. // Russ. Chem. Bull. 2014. Vol. 63. P. 1696--1702.] DOI: https://doi.org/10.1007/s11172-014-0655-y
  13. Лапшина М.А., Филатов Д.О., Антонов Д.А., Баранцев Н.С. // Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009. N 7. С. 71--75
  14. Далидчик Ф.И., Балашов Е.М., Ковалевский С.А. // Письма в ЖЭТФ. 2018. Т. 108. Вып. 7. С. 504--509. DOI: 10.1134/S0370274X18190098
  15. Chen J., Reed M.A., Rawlett A.M., Tour J.M. // Science. 1999. Vol. 286. N 5444. P. 1550--1552. DOI: 10.1126/science.286.5444.1550
  16. Chen J., Wang W., Reed M.A., Rawlett A.M., Price D.W., Tour J.M. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 77. P. 1224--1226. DOI: 10.1063/1.1289650
  17. Brandbyge M., Mozos J.-L., Ordejon P., Taylor J., Stokbro K. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 65. P. 165401. DOI: 10.1103/PhysRevB.65.165401
  18. Atomistix ToolKit. Manual Version 2015.1. 2015. QuantumWise A/S, 840
  19. Сергеев Д.М., Шункеев К.Ш. // Изв. вузов. Сер. физ. 2017. Т. 60. N 11. С. 80--86. [ Sergeyev D., Shunkeyev K. // Russ. Phys. J. 2018. Vol. 60. P. 1938--1945.] DOI: https://doi.org/10.1007/s1118
  20. Sergeyev D. // J. Nano. Electron. Phys. 2018. Vol. 10. P. 03018. DOI: 10.21272/jnep.10(3).03018
  21. Landauer R. // Phil. Mag. 1970. Vol. 21. P. 863--867. DOI: 10.1080/14786437008238472
  22. Mattsson T.R., Lane J.M.D., Cochrane K.R., Desjarlais M.P., Thompson A.P., Pierce F., Grest G.S. // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 81. P. 054103. DOI: 10.1103/PhysRevB.81.054103
  23. Sheng H.W., Kramer M.J., Cadien A., Fujita T., Chen M.W. // Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83. P. 134118. DOI: 10.1103/PhysRevB.83.134118
  24. Datta S. Quantum Transport: Atom to Transistor. Cambridge: Univ. Press, 2005. 404 p
  25. Балашов Е.М., Буданов Б.А., Далидчик Ф.И., Ковалевский С.А. // Письма в ЖЭТФ. 2015. Т. 101. Вып. 9. С. 717--722. DOI: 10.7868/S0370274X1509012X
  26. Datta S. // Nanotechnology. 2004. Vol. 15. P. S433--S451. DOI: 10.1088/0957- 4484/15/7/051

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme