С помощью методов полевой эмиссионной микроскопии изучена конденсация Si на поверхности W при различных температурах подложки T и количествах n моноатомных слоев осажденного конденсата. При низких T~600 K на поверхности формируется низкотемпературный монослой Si со структурой чистого W, тогда как при T≥1000 K формируется другая структура высокотемпературного монослоя или поверхностного силицида. Низкотемпературный монослой и поверхностный силицид различаются также и ориентирующим действием при наращивании слоев Si. В случае конденсации на низкотемпературный монослой собственные кристаллиты Si формируются уже начиная с третьего монослоя n≥3, тогда как при конденсации на поверхностный силицид рост кристаллитов Si происходит начиная с n≥300 монослоев. Определены величины энергий активации Q_dif объемной диффузии Si в объем W и энергии десорбции Q_des атомов Si с поверхности W. Ключевые слова: кремний, вольфрам, адсорбция, моноатомный слой.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.