Вышедшие номера
Некоторые особенности конденсации атомов кремния на поверхности монокристалла вольфрама
Переводная версия: 10.1134/S1063784220030081
грантов нет
грантов нет
грантов нет
грантов нет
грантов нет
грантов нет
Голубев О.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: O.Golubev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

С помощью методов полевой эмиссионной микроскопии изучена конденсация Si на поверхности W при различных температурах подложки T и количествах n моноатомных слоев осажденного конденсата. При низких T~600 K на поверхности формируется низкотемпературный монослой Si со структурой чистого W, тогда как при T≥1000 K формируется другая структура высокотемпературного монослоя или поверхностного силицида. Низкотемпературный монослой и поверхностный силицид различаются также и ориентирующим действием при наращивании слоев Si. В случае конденсации на низкотемпературный монослой собственные кристаллиты Si формируются уже начиная с третьего монослоя n≥3, тогда как при конденсации на поверхностный силицид рост кристаллитов Si происходит начиная с n≥300 монослоев. Определены величины энергий активации Qdif объемной диффузии Si в объем W и энергии десорбции Qdes атомов Si с поверхности W. Ключевые слова: кремний, вольфрам, адсорбция, моноатомный слой.
  1. Flaim T.A., Ownby P.D. // Surf. Sci. 1972. Vol. 32. N 3. P. 519--526.
  2. Gall N.R., Rutkov E.V., Tontegode A.Ya. // Thin Solid Films. 1995. Vol. 266. P. 229--238
  3. Tsong T.T., Wang S.C., Liu H.F. // Journ. Vac. Sci. Tech. 1983. B1. P. 915--922
  4. Tsong T.T. // Surf. Sci. Rep. 1988. Vol. 8. N 3/4. P. 127--207
  5. Nishikava O., Tomori M., Iwawaki F. // Surf. Sci. 1992. Vol. 266. P. 204--213
  6. Svec M., Hapala P., M. Vondrecek M., Merino P., Banca Rey M., Mutombo P., Polyak Y., Chab V., Yelinec P. // Phys. Rev. 2014. B 89. P. 291912
  7. Aufrei B., Kara A., Vizzini S., Oughaddou H., Leandry C., Ealet B., Lay G. // Appl. Phys. Lett. 2016. Vol. 96. P. 183102
  8. Голубев О.Л., Конторович Е.Л., Шредник В.Н. // ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 3. С. 88--96
  9. Голубев О.Л. // ЖТФ. 2011. Т. 81. Вып. 6. С. 113--119
  10. Fowler R.H., Nordheim L. // Proc. Roy. Soc. 1928. Vol. 119. A781. P. 173--181
  11. Голубев O.Л. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. Вып. 23. С. 9--15.
  12. Автореф. канд. дис. Джалилов С.Т. Исследование взаимодействия кислорода с тугоплавкими металлами (W, Ta, Nb, Ir) методом электронностимулированной десорбции. Л. ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР. 1977. 150 с
  13. Wrigley J.D., Ehrlich G. // Phys. Rev. Lett. 1980. Vol. 44. N 10. P. 661--663
  14. Feibelman P.J. // Phys. Rev. Lett. 1990. Vol. 65. N 6. P. 729--732
  15. Chonling Chen, Tsong T.T. // Phys. Rev. Lett. 1990. Vol. 64. N 26. P. 3147--3150
  16. Kellog G.L., Feibelman P.J. // Phys. Rev. Lett. 1990. Vol. 64. N 26. P. 3143--3146
  17. Kellog G.L. // Surf. Sci. 1992. Vol. 266. P. 18--23

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.