Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала
Russian Foundation for Basic Research, 18-29-23001
Тихов С.В.
1, Белов А.И.
1, Королев Д.С.
1, Антонов И.Н.
1, Сушков А.А.
1, Павлов Д.А.
1, Тетельбаум Д.И.
1, Горшков О.Н.
1, Михайлов А.Н.
11Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: tikhov@phys.unn.ru, belov@nifti.unn.ru, dmkorolev@phys.unn.ru, ivant@nifti.unn.ru, sushkovartem@gmail.com, pavlov@unn.ru, tetelbaum@phys.unn.ru, gorshkov@nifti.unn.ru, mian@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 21 мая 2019 г.
В окончательной редакции: 21 мая 2019 г.
Принята к печати: 10 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.
Изучены электрофизические характеристики многослойной мемристивной структуры Au/Ta/ZrO2(Y)/TaOx/TiN. Обнаружены электронные и ионные электретные эффекты, связанные с захватом носителей заряда на ловушки и ионной миграционной поляризацией в диэлектрике. Установлено влияние ловушек на процессы электроформовки и резистивного переключения. Определены значения энергии активации и концентрации для ловушек и ионов. Обнаружено явление стабилизации резистивного переключения, которое связывается с особенностями двуслойной структуры TaOx и самоформирующимися нанокластерами Ta. Нанокластеры выполняют роль концентраторов электрического поля в процессе электроформовки и последующего резистивного переключения. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, ловушки, ионы, миграционная поляризация, нанокластеры.
- Ielmini D. // Semicond. Sci. Technol. 2016. Vol. 31. P. 063002. DOI: 10.1088/0268-1242/31/6/063002
- Sun Y., Song C., Yin J., Chen X., Wan Q., Zeng F., Pan F. // ACS Appl. Mater. Interf. 2017. Vol. 9. P. 34064-34070. DOI: 10.1021/acsami.7b09710
- Trapatseli M., Cortese S., Serb A., Khiat A., Prodromakis T. // J. Appl. Phys. 2017. Vol. 121. P. 184505-1-184505-8. DOI: 10.1063/1.4983006
- Wu W., Wu H., Gao B., Deng N., Qian H. // J. Appl. Phys. 2018. Vol. 124. P. 152108-1-152108-6. DOI: 10.1063/1.5037896
- Alibart F., Gao L., Hoskins B.D., Strukov D.B. // Nanotechnology. 2012. Vol. 23. P. 075201-1-075201-7. DOI: 10.1088/0957-4484/23/7/075201
- Berdan R., Prodromakis T., Toumazou C. // Electron. Lett. 2012. Vol. 48. N 18. P. 1105-1107. DOI: 10.1049/el.2012.2295
- Никируй К.Э., Емельянов А.В., Демин В.А., Рыльков В.В., Ситников А.В., Кашкаров П.К. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. Вып. 10. С. 20-28.[ Nikiruy K.E., Emelyanov A.V., Demin V.A., Rylkov V.V., Sitnikov A.V., Kashkarov P.K. // Tech. Phys. Lett. 2018. Vol. 44. N 5. P. 416-419. DOI: 10.1134/S106378501805022X]
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы N 2018630129. Топология тестового кристалла с матрицей мемристивных микроустройств / Грязнов Е.Г., Антонов И.Н., Котина А.Ю., Котомина В.Е., Михайлов А.Н., Шарапов А.Н., Горшков О.Н. N 2018630123; заявлено 12.07.2018; опубл. 08.08.2018. 1 с
- Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высшая школа, 1977. 448 c
- Тихов C.B., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. // ЖТФ. 2016. Т. 86. Вып. 5. С. 107-111. [ Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Korolev D.S., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I. // Tech. Phys. 2016. Vol. 61. N 5. P. 745-749. DOI: 10.1134/S106378421605025X]
- Tikhov S., Gorshkov O., Antonov I., Morozov A., Koryazhkina M., Filatov D. // Adv. Mater. Sci. Eng. 2018. Vol. 2018. P. 2028491-1-2028491-8. DOI: 10.1155/2018/2028491
- Chiu F.-C., Lin Z.-H., Chang C.-W., Wang C.-C., Chuang K.-F., Huang C.-Y., Lee J. Yamin, Hwang H.L. // J. Appl. Phys. 2005. Vol. 97. P. 034506-1-034506-4. DOI: 10.1063/1.1846131
- Mikhaylov A.N., Gryaznov E.G., Belov A.I., Korolev D.S., Sharapov A.N., Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Tikhov S.V., Malekhonova N.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Gerasimova S.A., Kazantsev V.B., Agudov N.V., Dubkov A.A., Rosario C.M.M., Sobolev N.A., Spagnolo B. // Phys. Status Solidi C. 2016. Vol. 13. P. 870-881. DOI: 10.1002/pssc.201600083
- Электротехнический справочник / Под ред. В.Г. Герасимова. M.: МАИ, 2004. Т. 4
- Рыльков В.В., Николаев С.Н., Демин В.А., Емельянов А.В., Ситников А.В., Никируй К.Э., Леванов В.А., Пресняков М.Ю., Талденков А.Н., Васильев А.Л., Черноглазов К.Ю., Веденеев А.С., Калинин Ю.Е., Грановский А.Б., Тугушев В.В., Бугаев А.С. // ЖЭТФ. 2018. Т. 153. Вып. 3. С. 424-441. [ Rylkov V.V., Nikolaev S.N., Demin V.A., Emelyanov A.V., Sitnikov A.V., Nikiruy K.E., Levanov V.A., Presnyakov M.Yu., Taldenkov A.N., Vasiliev A.L., Chernoglazov K.Yu., Vedeneev A.S., Kalinin Yu.E., Granovsky A.B., Tugushev V.V., Bugaev A.S. // JETP. 2018. Vol. 126. N 3. P. 353-367. DOI: 10.1134/S10 63776118020152]
- Garg S.P., Krishnamurthy N., Awasthi A., Venkataram M. / J. Phase Equilibria: Phase Diagram Eval. Sec. II. 1996. Vol. 17. N 1. P. 63-77. DOI: 10.1007/BF02648373
- Возмилова Л.Н., Гаман В.И., Калыгина В.М., Панин А.В., Смирнова Т.П. // ФТП. 1997. Т. 31. Вып. 4. C. 492-497. [ Vozmilova L.N., Gaman V.I., Kalygina V.M., Panin A.V., Smirnova T.P. // Semiconductors. 1997. Vol. 31. N 4. P. 418-422. DOI: 10.1134/1.1187175]
- Ielmini D. // IEEE Tr. Electron. Dev. 2011. Vol. 58. N 12. P. 4309-4317. DOI: 10.1109/TED.2011.2167513
- Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. // Mater. Sci. Eng. B. 2015. Vol. 195. P. 48-54. DOI: 10.1016/j.mseb.2014.12.029
- Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. // Microelectron. Eng. 2018. Vol. 188. N 187. P. 134-138. DOI: 10.1016/j.mee.2017.11.002
- Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Морозов А.И., Karakolis P., Dimitrakis P. // ФТП. 2018. Т. 52. Вып. 12. С. 1436-1442. DOI: 10.21883/FTP.2018.12.46753.32 [ Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Morozov A.I., Karakolis P., Dimitrakis P. // Semiconductors. 2018. Vol. 52. N 12. P. 1540-1546. DOI: 10.1134/S1063782618120242]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
