Вышедшие номера
Разработка технологии и исследование сверхвысокочастотных переключателей на основе 4H-SiC p-i-n-диодов
Переводная версия: 10.1134/S1063784220020139
Лебедев А.А.1, Кириллов А.В.2, Романов Л.П.2, Зубов А.В.3, Стрельчук А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: shura.lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 июля 2019 г.
В окончательной редакции: 9 июля 2019 г.
Принята к печати: 13 августа 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

Разработана технология СВЧ p-i-n-диодов на основе карбида кремния (SiC). С использованием данных диодов изготовлены переключатели для трехсантиметрового диапазона. Показано, что разработанные приборы по величине рабочей мощности примерно в 10 раз превышают рабочую мощность переключателей на базе Si-диодов при одинаковой толщине базы, равной 5 μm. Намечены пути дальнейшей оптимизации технологии данных приборов. Ключевые слова: карбид кремния, СВЧ диоды, модуляторы, переключатели, аттенюаторы.