Вышедшие номера
Разработка технологии и исследование сверхвысокочастотных переключателей на основе 4H-SiC p-i-n-диодов
Переводная версия: 10.1134/S1063784220020139
Лебедев А.А.1, Кириллов А.В.2, Романов Л.П.2, Зубов А.В.3, Стрельчук А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: shura.lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 июля 2019 г.
В окончательной редакции: 9 июля 2019 г.
Принята к печати: 13 августа 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

Разработана технология СВЧ p-i-n-диодов на основе карбида кремния (SiC). С использованием данных диодов изготовлены переключатели для трехсантиметрового диапазона. Показано, что разработанные приборы по величине рабочей мощности примерно в 10 раз превышают рабочую мощность переключателей на базе Si-диодов при одинаковой толщине базы, равной 5 μm. Намечены пути дальнейшей оптимизации технологии данных приборов. Ключевые слова: карбид кремния, СВЧ диоды, модуляторы, переключатели, аттенюаторы.
  1. Bludov A.V., Boltovets M.S., Vasilevski K.V., Zorenko A.V., Zakentes K., Lebedev A.A., Krivitsa V.A. // Mater. Sci. Forum. 2004. Vol. 457-460. Р. 1089-1092
  2. Василевский В., Гамулецкая П.Б., Кириллов А.В., Лебедев А.А., Романов Л.П., Смирнов В.А. // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 2. С. 242-243. [ Vasilevskii V.V., Gamuletskaya P.B., Kirillov A.V., Lebedev A.A., Romanov L.P., Smirnov V.A. // Semiconductors. 2004. Vol. 38. N 2. P. 242-243.]
  3. Гамулецкая П.Б., Кириллов А.В., Лебедев А.А., Романов Л.П., Смирнов В.А. // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 4. С. 504-511. [ Gamuletskaya P.B., Kirillov A.V., Lebedev A.A., Romanov L.P., Smirnov V.A. // Semiconductors. 2004. Vol. 38. N 4. P. 486-493.]
  4. Vassilevski K.V. // Intern. J. High. Speed. Electron. Systems. 2005. Vol. 15. N 4. Р. 899-930
  5. Hazdra P., Popelka S. // Phys. Stat. Sol. A. 2016. N 1-8. DOI 10.1002/pssa.201600447
  6. Добров В.А., Козловский В.В., Мещеряков А.В., Усыченко В.Г., Чернова А.С., Шабунина Е.И., Шмидт Н.М. // ФТП. 2019. Т. 53. Bып. 4. С. 555-561. [ Dobrov V.A., Kozlovski V.V., Mescheryakov A.V., Usychenko V.G., Chernova A.S., Shabunina E.I., Shmidt N.M. // Semiconductors. 2019. Vol. 53. N 4. P. 545-551.] DOI: 10.21883/FTP.2019.04.47457.9027
  7. Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.cree.com/
  8. Электронный ресурс. Режим доступа: http://ascatron.com/

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.