Теория термоэлектронной эмиссии скандатных катодов
Капустин В.И.1,2, Ли И.П.2, Шуманов А.В.1,2, Москаленко С.О.1,2
1МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
2АО "Плутон", Москва, Россия
Email: kapustin@mirea.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2019 г.
В окончательной редакции: 15 апреля 2019 г.
Принята к печати: 20 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.
С учетом определяющей роли кислородных вакансий в формировании термоэмиссионных свойств кристаллитов оксида бария, экспериментально показано и теоретически обосновано влияние микропримесей в оксиде бария на параметры его электронной структуры и, соответственно, на величину работы выхода. Установлено, что микропримеси скандия в кристаллитах оксида бария в зависимости от размеров кристаллитов в наноразмерной области приводят к формированию на поверхности кристаллитов доменов различных типов, обогащенных атомами скандия и характеризующихся пониженной работой выхода. Предложена физическая модель и проведены теоретические расчеты зависимости работы выхода доменов от температуры и концентрации кислородных вакансий в кристаллитах оксида бария, легированных атомами скандия, для различных типов доменов. Сформулирована экспериментальная методика, позволяющая физически корректно определять эмиссионные свойства скандатных катодов. Ключевые слова: термоэлектронная эмиссия, скандатный катод, оксид бария, структура поверхности оксида, кислородные вакансии.
- Дюбуа Б.Ч., Поливникова О.В. // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 2013. Вып. 4 (519). С. 187--190
- Дюбуа Б.Ч., Королев А.Н. // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 2011. Вып. 1 (509). С. 5--25
- Schoenbeck Laura // In Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree Master of Science in Materials Science and Engineering. USA. Georgia Institute of Technology, February 2005. 118 р
- Gartner G., Geintter P., Ritz A. // Appl. Surf. Sci. 1997. N 111. Р. 11--17
- Brodie I., Vancil B. // Proc. IEEE Int. Vacuum Electronics Conf., Monterey, CA, United States, 2014. Р. 53--54
- Bekh I.I., Getman O.I., Il'chenko V.V., Lushkin A.E., Panichkina V.V., Rakitin S.P. // Ukr. J. Phys. 2009. Vol. 54. N 3. P. 297--302
- Капустин В.И. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1991. Т. 55. N 12. С. 2455--2458
- Капустин В.И. // Перспективные материалы. 2000. N 2. С. 5--17
- Капустин В.И., Ли И.П., Шуманов А.В., Лебединский Ю.Ю., Заблоцкий А.В. // ЖТФ. 2017. Т. 87. Вып. 1. С. 105--115. [ Kapustin V.I., Li I.P., Shumanov A.V., Lebedinskii Yu.Yu., Zablotskii A.V. // Tech. Phys. 2017. Vol. 62. N 1. P. 116--126.]
- Капустин В.И., Ли И.П., Петров В.С., Леденцова Н.Е., Турбина А.В. // Электронная техника. Сер. 1: СВЧ-техника. Вып. 1 (528). 2016. С. 8--18
- Brodie I., Vancil B. // Proc. IEEE Int. Vacuum Electronics Conf., Monterey, CA, United States, 2014. P. 53--54
- Физико-химические свойства окислов: Справочник / Самсонов Г.В., Борисова А.Л., Жидкова Т.Г. и др. М.: Металлургия, 1978. 472 с
- Glasstone S., Laidler K.J., Eyring H. The Theory of Rate Processes / Princeton University. N. Y. \& London. N 1941. [ Глестон С., Лейдлер К., Эйринг Г. Теория абсолютных скоростей реакций / Пер. с англ. М.: ИЛ, 1948. 584 с.]
- Davison S.G., Levine J.D. Surface states. Academic Press. N. Y., London, 1970. [ Дэвисон С., Левин Дж. Поверхностные (Таммовские) состояния / Пер. с англ. М.: Мир. 1973. 232 с.]
- Raju R.S., Maloney C.E. // IEEE Trans. El. Dev. 1994. Vol. 41. N 12. P. 134--145
- Капустин В.И., Ли И.П., Шуманов А.В. // ЖТФ. 2018. Т. 88. Bып. 3. С. 472--478. [ Kapustin V.I., Li I.P., Shumanov A.V. // Tech. Phys. 2018. Vol. 63. N 3. P. 460--466.]
- Капустин В.И., Ли И.П., Шуманов А.В. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. Bып. 12. С. 12--20. [ Kapustin V.I., Li I.P., Shumanov A.V. // Tech. Phys. Lett. 2017. Vol. 43. N 10. P. 875--878.]
- Бельский М.Д., Бочаров Г.С., Елецкий А.В., Sommerer T.J. // ЖТФ. 2010. T. 80. Bып. 2. С. 130--137
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.