Вышедшие номера
Модификация свойств поверхности свободных пленок Si-Cu имплантацией ионов активных металлов
Переводная версия: 10.1134/S1063784220010090
Исаханов З.А.1, Косимов И.О.1, Умирзаков Б.Э.1, Ёркулов Р.М.1
1Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Email: za.isakhanov@gmail.com
Поступила в редакцию: 20 мая 2019 г.
В окончательной редакции: 20 мая 2019 г.
Принята к печати: 3 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

Методами оже-электронной спектроскопии, спектроскопии характеристических потерь энергии электронами и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии изучено влияние имплантации ионов Ва+ на состав, кристаллическую и электронную структуры поверхности свободных пленок Si-Cu(100). В частности, показано, что имплантация ионов Ва и последующий отжиг позволяют получить нанопленки типа ВаSi с некоторым (до 10 at.%) избытком несвязанных атомов Si. Ключевые слова: оже-электронная спектроскопия, имплантации ионов Ва+, нанопленки.