Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование влияния водородного травления поверхности SiC на последующий процесс формирования пленок графена

DOI: 10.21883/JTF.2019.12.48495.217-19

Переводная версия: 10.1134/S1063784219120144

Министерство образования и науки Российской Федерации, RFMEFI57517X0148

Лебедев С.П. ¹, Бараш И.С.¹, Елисеев И.А.¹, Дементьев П.А.¹, Лебедев А.А.^1,2, Булат П.В.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

³Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

Email: lebedev.sergey@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 25 мая 2019 г.

В окончательной редакции: 25 мая 2019 г.

Принята к печати: 10 июня 2019 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучено влияние температуры и длительности травления поверхности 4H-SiC (0001) в водороде на структурное совершенство пленок графена, выращиваемых методом термодеструкции. Определено несколько технологических режимов, позволяющих осуществлять травление подложки без изменения стехиометрического состава поверхности. Продемонстрировано, что предростовое травление в водороде при T=1600^oC и длительности 1 min позволяет получать более однородный и структурно-совершенный графен, чем травление при T=1300^oC и длительности 30 min. Ключевые слова: графен, карбид кремния, спектроскопия комбинационного рассеяния света, атомно-силовая микроскопия.

Yazdi G.R., Iakimov T., Yakimova R. // Crystals. 2016. Vol. 6. P. 53. DOI: 10.3390/cryst6050053
Zhou L., Audurier V., Pirouz P., Powell J.A. // J. Electrochem. Soc. 1997. 144. P. 161--163
Kumagawa M., Kuwabara H. // Jpn. J. Appl. Phys. 1969. Vol. 8. N 4. P. 421--428
Dogan S., Johnstone D., Yun F., Sabuktagin S., Leach J., Baski A.A., Morkoc H., Li G., Ganguly B. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 85. N 9. P. 1547--1549. DOI: 10.1063/1.1786632
Sagar A., Lee C.D., Feenstra R.M., Inoki C.K., Kuan T.S. // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 92. N 7. P. 4070--4074. DOI: 10.1063/1.1501749
Frewin Ch.L., Colleti C.C., Riedi Ch., Starke U., Saddow S. // Mater. Sci. Forum. 2009. Vol. 615--617. P. 589--592. DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.589
Anzalone R., Piluso N., Salanitri M., Lorenti S., Arena G., Coffa S. // Mater. Sci. Forum. 2017. Vol. 897. P. 71--74. DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.71
Лебедев С.П., Елисеев И.А., Давыдов В.Ю., Смирнов А.Н., Левицкий В.С., Мынбаева М.Г., Кулагина М.М., Hahnlein B., Pezoldt J., Лебедев А.А. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. Bып. 18. C. 64--72. DOI: 10.21883/PJTF.2017.18.45035.16895 [ Lebedev S.P., Eliseyev I.A., Davydov V.Y., Smirnov A.N., Levitskii V.S., Mynbaeva M.G., Kulagina M.M., Hahnlein B. Pezoldt J., Lebedev A.A. // Tech. Phys. Lett. 2017. Vol. 43. P. 849--852. DOI: 10.1134/S106378501709022]
Ferrari A.C., Meyer J.C., Scardaci V., Casiraghi C., Lazzeri M., Mauri F., Piscanec S., Jiang D., Novoselov K.S., Roth S. and Geim A.K. // Phys. Rev. Lett. 2006. Vol. 97. P. 187401. DOI:10.1103/PhysRevLett.97.187401
Давыдов В.Ю., Усачёв Д.Ю., Лебедев С.П., Смирнов А.Н., Левицкий В.С., Елисеев И.А., Алексеев П.А., Дунаевский М.С., Вилков О.Ю., Рыбкин А.Г., Лебедев А.А. // ФТП. 2017. Т. 51. С. 1116--1124. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44800.8559 [ Davydov V.Y., Usachov D.Y., Lebedev S.P., Smirnov A.N., Levitskii V.S., Eliseyev I.A., Alekseev P.A., Dunaevskiy M.S., Vilkov O.Y., Rybkin A.G., Lebedev A.A. // Semiconductors. 2017. Vol. 51. P. 1072--1080. DOI: 10.1134/S10 63782617080073]
Panchal V., Pearce R., Yakimova R., Tzalenchuk A., Kazakova O. // Sci. Rep. 2013. Vol. 3. P. 2597. DOI: 10.1038/srep0259
12Fromm F., Oliveira Jr.M.H., Molina-Sanchez A., Hundhausen M., Lopes J.M.J., Riechert H., Wirtz L., Seyller T. // New J. Phys. 2013. Vol. 15. DOI: 10.1088/1367-2630/15/4/043031

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель