Вышедшие номера
Определение электрофизических параметров полупроводника по измерениям микроволнового спектра импеданса коаксиального зонда
Переводная версия: 10.1134/S1063784219110240
RFBR, a, 18-02-00914
Резник А.Н. 1, Вдовичева Н.К. 1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: reznik@ipm.sci-nnov.ru, hope@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2019 г.
В окончательной редакции: 28 марта 2019 г.
Принята к печати: 15 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

Предложен метод определения электрофизических характеристик полупроводников (концентрации и подвижности свободных носителей заряда, удельной проводимости) по данным измерений микроволнового спектра импеданса коаксиального зонда как функции приложенного постоянного напряжения U. Искомые параметры найдены путем решения соответствующей обратной задачи с использованием разработанной ранее теории ближнепольной антенны. Создана компьютерная программа, осуществляющая поиск решения путем минимизации многопараметрической функции невязки по алгоритму Нелдера-Мида. Точность метода проанализирована по результатам моделирования, в котором импеданс предварительно вычислен с учетом полученного профиля концентрации n(x,U) обедненного слоя в окрестности контакта металл-полупроводник. Продемонстрирована возможность диагностики с микронным латеральным разрешением. Ключевые слова: микроволны, зондовая микроскопия, импеданс, полупроводник.