Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Определение электрофизических параметров полупроводника по измерениям микроволнового спектра импеданса коаксиального зонда
Переводная версия: 10.1134/S1063784219110240 
RFBR, a, 18-02-00914
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Email: reznik@ipm.sci-nnov.ru, hope@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2019 г.
В окончательной редакции: 28 марта 2019 г.
Принята к печати: 15 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
Предложен метод определения электрофизических характеристик полупроводников (концентрации и подвижности свободных носителей заряда, удельной проводимости) по данным измерений микроволнового спектра импеданса коаксиального зонда как функции приложенного постоянного напряжения U. Искомые параметры найдены путем решения соответствующей обратной задачи с использованием разработанной ранее теории ближнепольной антенны. Создана компьютерная программа, осуществляющая поиск решения путем минимизации многопараметрической функции невязки по алгоритму Нелдера-Мида. Точность метода проанализирована по результатам моделирования, в котором импеданс предварительно вычислен с учетом полученного профиля концентрации n(x,U) обедненного слоя в окрестности контакта металл-полупроводник. Продемонстрирована возможность диагностики с микронным латеральным разрешением. Ключевые слова: микроволны, зондовая микроскопия, импеданс, полупроводник.
- Vostokov N.V., Shashkin V.I. // IEEE Tr. Electron. Dev. 2017. Vol. 64. N 1. P. 109--114
- Reznik A.N., Vostokov N.V., Vdovicheva N.K., Korolyov S.A., Shashkin V.I. // J. Appl. Phys. 2017. Vol. 122. P. 244505: 1--9
- Vostokov N.V., Koblov E.A., Korolyov S.A., Revin M.V., Shashkin V.I. // IEEE Tr. Electron Dev. 2018. Vol. 65. N 4. P. 1327--1332
- Imtiaz A., Baldwin T., Nembach H.T., Wallis T.M., Kabos P. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 90. P. 23105: 1--3
- Laji K., Kundhikanjana W., Kelly M.A., Shen Z.-X. // Appl. Nanosci. 2011. P. 13--18
- Reznik A.N., Korolyov S.A. // J. Appl. Phys. 2016. Vol. 119. P. 094504: 1--10
- Korolyov S.A., Reznik A.N. // Rev. Sci. Instrum. 2018. Vol. 89. P. 023706: 1--9
- Buersgens F., Kersting R., Chen H.-T. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88. P. 112115: 1--3
- Трухин В.Н., Голубок А.О., Лютецкий А.В., Матвеев Б.А., Пихтин Н.А., Самойлов Л.Л., Сапожников И.Д., Тарасов И.С., Фельштын М.Л. // Изв. вузов. Радиофизика. 2011. Т. 54. N 89. С. 640--648
- Huber H.P., Humer I., Hochleitner M., Fenner M. et al. // J. Appl. Phys. 2012. Vol. 111. P. 014301: 1--10
- Amster O., Stanke F., Friedman S., Yang Y., Dixon-Warren St.J., Drevniok B. // Microelectron. Reliab. 2017. Vol. 76-77. P. 214--217
- Hommel S., Killat N., Altes A., Schveinboeck T., Kreupl F. // Microelectron. Reliab. 2017. Vol. 76--77. P. 218--221
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. // Физика полупроводников. М.: Мир, 1977. 678 с
- Nelder J.A., Mead R. // Comput. J. 1965. Vol. 7. P. 308--313
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
