Вышедшие номера
Исследование изменения кристаллической структуры поверхности Si(111) при ионной бомбардировке и последуещего отжига
Переводная версия: 10.1134/S1063784219100153
Ministry of innovation, Background support the basic research of the Republic of Uzbekistan., project F2-53
Ниматов С.Ж.1, Умирзаков Б.Е. 1, Худайкулов Ф.Я.1, Руми Д.С.1
1Ташкентский государственный технический университет им. И.А. Каримова, Ташкент, Узбекистан
Email: Nimatov@mail.ru
Поступила в редакцию: 29 ноября 2018 г.
В окончательной редакции: 29 ноября 2018 г.
Принята к печати: 10 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.

Представлены результаты исследования модификации поверхности Si(111) при бомбардировке ионами щелочных элементов в сочетании с отжигом и показано, что при энергии ионов в интервале 0.3-1 keV после прогрева на поверхности Si формируется монослойное покрытие силицида металла. Установлено, что работа выхода φ поверхности образца Si(111) сложным образом зависит от дозы при различных энергиях облучения и типах ионов. Ключевые слова: ионная бомбардировка, отжиг, монослойная пленка, структура, работа выхода.