Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2019, выпуск 10 » Статья стр. 1592
<<<>>>
Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb
DOI: 10.21883/JTF.2019.10.48178.412-18
Переводная версия: 10.1134/S106378421910013X
Левин Р.В.1, Пушный Б.В.1, Федоров И.В.1, Усикова А.А.1, Неведомский В.Н. 1, Баженов Н.Л.1, Мынбаев К.Д. 1, Павлов Н.В.1, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Lev@vpegroup.ioffe.ru, pushnyi@vpegroup.ioffe.ru, kingwash@yandex.ru, Usikova@mail.ioffe.ru, nevedom@mail.ioffe.ru, Bazhnil.Ivom@mail.ioffe.ru, mynkad@mail.ioffe.ru, zegrya@theory.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 ноября 2018 г.
В окончательной редакции: 29 ноября 2018 г.
Принята к печати: 10 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.
PDF версия
Исследованы возможности метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (МОСГФЭ) для изготовления структур с тонкими (1-2 nm) чередующимися слоями InAs/GaSb на подложке GaSb. Свойства структур были изучены методами просвечивающей электронной микроскопии и фото- и электролюминесценции. Было установлено, что при использованных условиях роста в активной области структур происходило формирование двух твердых растворов GaInAsSb различных составов. Для полученной системы было характерным излучение на длине волны 4.96 μm при температуре 77 K. Результаты работы демонстрируют новые возможности метода МОСГФЭ для инженерии запрещенной зоны полупроводниковых структур на основе InAs/GaSb, предназначенных для создания приборов оптоэлектроники, работающих в инфракрасном диапазоне длин волн. Ключевые слова: узкозонные полупроводники AIIIBV, напряженные сверхрешетки, МОСГФЭ, электролюминесценция.
  1. Smith D.L., Mailhiot C. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 62. P. 2545--2548
  2. Youngdale E.R., Meyer J.R., Hoffman C.A., Bartoli F.J., Grein C.H., Young P.M., Ehrenreich H., Miles R.H., Chow D.H. // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. P. 3160--3162
  3. Zegrya G.G., Andreev A.D. // Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 67. P. 2681--2683
  4. Ning Z.-D., Liu S.-M., Luo S., Ren F., Wang F., Yang T., Liu F.-Q., Wang Z.-G., Zhao L.-C. // Mater. Lett. 2016. Vol. 164. P. 213--216. DOI: 10.1016/j.matlet.2015.10.140
  5. Keen J.A., Repiso E., Lu Q., Kesaria M., Marshall A.R.J., Krier A. // Infr. Phys. Technol. 2018. Vol. 93. P. 375--380. DOI: 10.1016/j.infrared.2018.08.001
  6. Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Semakova A.A., Bykhanova E.V., Bazhenov N.L. // Opto-Electron. Rev. 2017. Vol. 25. N 3. P. 209--214. DOI: 10.1016/j.opelre.2017.06.005
  7. Wu J., Xu Z., Chen J., He L. // Infr. Phys. Technol. 2018. Vol. 92. P. 18--23. DOI: 10.1016/j.infrared.2018.05.004
  8. Cervera C., Ribet-Mohamed I., Taalat R., Perez J.P., Christol P., Rodriguez J.B. // J. Electron. Mater. 2012. Vol. 41. P. 2714--2718. DOI: 10.1007/s11664-012-2035-4
  9. Gautam N., Kim H.S., Kutty M.N., Plis E., Dawson L.R., Krishna S. // Appl. Phys. Lett. 2010. Vol. 96. P. 231107. DOI: 10.1063/1.3446967
  10. Wei Y., Gin A., Razeghi M., Brown G.J. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80. P. 3262--3264
  11. Rogalski A., Martyniuk P., Kopytko M. // Appl. Phys. Rev. 2017. Vol. 2. P. 031304. DOI: 10.1063/1.4999077
  12. Jung D., Bank S., Lee M.L., Wasserman D. // J. Optics. 2017. Vol. 19. P. 123001. DOI: 10.1088/2040-8986/aa939b
  13. Li X., Zhao Y., Wu Q., Teng Y., Hao X., Huang Y. // J. Cryst. Growth. 2018. Vol. 502. P. 71--75. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.09.003
  14. Huang Y., Ryou J.-H., Dupuis R.D., D'Costa V.R., Steenbergen E.H., Fan J., Zhang Y.-H., Petschke A., Mandl M., Chuang S.-L. // J. Cryst. Growth. 2011. Vol. 314. P. 92--96. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.11.003
  15. Huang Y., Ryou J.-H., Dupuis R.D., Petschke A., Mandl M., Chuang S.-L. // Appl. Phys. Lett. 2010. Vol. 96. P. 251107. DOI: 10.1063/1.3456386
  16. Huang Y., Ryou J.-H., Dupuis R.D., Zuo D., Kesler B., Chuang S.-L., Hu H., Kim K.-H., Lu Y.T., Hsieh K.C., Zuo J.-M. // Appl. Phys. Lett. 2011. Vol. 99. P. 011109. DOI: 10.1063/1.3609240
  17. Chang Y., Wang T., Yin F., Wang J., Song Z., Wang Y., Yin J. // Infr. Phys. Technol. 2011. Vol. 54. P. 478--481. DOI: 10.1016/j.infrared.2011.07.009 [6
  18. Barletta P., Bulman G., Dezsi G., Venkatasubramanian R. // Thin Sol. Films. 2012. Vol. 520. P. 2170--2172. DOI: 10.1016/j.tsf.2011.10.007
  19. Li L.-G., Liu S.-M., Luo S., Yang T., Wang L.-J., Liu F.-Q., Ye X.-L., Xu B., Wang Z.-G. // Nanosc. Res. Lett. 2012. Vol. 7. P. 160--166. DOI: 10.1186/1556-276X-7-160
  20. Li L.-G., Liu S.-M., Luo S., Yang T., Wang L.-J., Liu J.-Q., Liu F.-Q., Ye X.-L., Xu B. // J. Cryst. Growth. 2012. Vol. 359. P. 55--59. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.08.009
  21. Левин Р.В., Усикова А.А., Неведомский В.Н., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Пушный Б.В., Зегря Г.Г. // Тез. докл. XXV Междунар. научно-технической конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения (М., Россия, 2018.) T. 1. C. 247
  22. Патент РФ N 2611692. Способ изготовления наногетероструктуры со сверхрешеткой / В.М. Андреев, Р.В. Левин, Б.В. Пушный. 28.02.2017
  23. Taalat R., Rodriguez J.-В., Delmas M., Christol Ph. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2014. Vol. 47. P. 015101. DOI: 10.1088/0022-3727/47/1/015101
  24. Christol P., Delmas M., Rossignol R., Rodriguez J.B. // Phys. Chem. Biophys. 2015. Vol. 5. P. 1000197. DOI: 10.4172/2161-0398.1000197
  25. Bevan M.J., Woodhouse K.T. // J. Cryst. Growth. 1984. Vol. 68. N 1. P. 254--261
  26. Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 89. P. 5815--5875
  27. Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D., Bougrov V.E., Lipsanen H., Salikhov Kh.M. // Infr. Phys. Technol. 2017. Vol. 85. P. 246--250. DOI: 10.1016/j.infrared.2017.07.003

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme