"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование процессов зарядки ионно-имплантированных диэлектриков под воздействием электронного облучения
Переводная версия: 10.1134/S1063784219080188
Рау Э.И.1, Татаринцев А.А.1, Зыкова Е.Ю.1, Зайцев С.В.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: rau@phys.msu.ru
Поступила в редакцию: 5 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

Исследована кинетика зарядки диэлектриков Al2O3 (сапфира) и SiO2 (alpha-кварца), подвергнутых предварительному облучению ионами инертного газа Ar+, металла Ga+ и протонами H+. Обнаружена существенная разница в кинетике зарядки образцов в зависимости от природы облучающих ионов. Установлено, что предварительное воздействие на диэлектрическую мишень ионизирующего корпускулярного излучения (протонов, ионов) значительно изменяет зарядовые характеристики поверхности диэлектриков. Эти различия зависят также от энергии облучающих ионов, определяющих глубину аккумулируемого слоя отрицательного заряда в сравнении с глубиной предварительной имплантации ионов. Ключевые слова: электронная зарядка диэлектриков, ионное облучение, радиационные дефекты. -18
  • Liebault J., Siesse-Moya D., Moya F., Zarbout K., Damamme G., Moya G. Annual Report --- Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena. 2002. P. 652-655
  • Vance D.W. // Annual Report --- Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena. 1970. P. 1-7
  • Рау Э.И., Татаринцев А.А., Зыкова Е.Ю., Иваненко И.П., Купреенко С.Ю., Миннебаев К.Ф., Хайдаров А.А. // ФТТ. 2017. Т. 59. C. 1504-1509
  • Rau E.I., Tatarintsev A.A., Khvostov V.V., Yurasova V.E. // Vacuum. 2016. Vol. 129. P. 142-148
  • Kroger F.A. Advances in Ceramics, Structure and Properties of MgO and Al-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=- Ceramics / Ed. by W.D. Kingery. Columbus: American Ceramic Society, 1984. Vol. 10
  • Alves E., da Silva M.F., Marques J.G., Soares J.C., Freitag K. // Nucl. Instrum. Meth. B. 1998. Vol. 141. P. 353-358
  • Alves E., Marques C., da Silva R.C., Monteiro T., McHargue C. // Surf. Coat. Technol. 2009. Vol. 203. P. 2357-2362
  • Privezentsev V., Goryachev A., Shcherbachev K. // Proc. of the World Congress on New Technologies (New Tech. 2015). Barcelona, Spain, 2015. P. 453-454
  • Yogev S., Levin J., Molotskii M., Schwarzman A., Avayu O., Rosenwaks Y. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103. Р. 064107
  • SRIM --- The Stopping and Range of Ions in Matter. [Электронный ресурс] // URL: http://www.srim.org
  • Cazaux J. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 89. P. 8265-8272
  • Melchinger A., Hofmann S. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 78. P. 6224-6231.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.