"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследования стабильности тонкопленочных структур Cu-As2S3 и Ag-As2S3
Переводная версия: 10.1134/S1063784219080152
Настас А.М.1
1Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
Email: nastas_am@rambler.ru
Поступила в редакцию: 1 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

Объектом исследования были тонкопленочные структуры Cu-As2S3 и Ag-As2S3, полученные методом последовательного термического испарения Cu (Ag) и As2S3 в вакууме на стеклянные подложки. Образцы хранились в атмосфере воздуха при комнатной температуре в темноте в течение 6 месяцев. Периодически проводилось измерение спектров пропускания исследуемых структур. Логарифм обратного пропускания в области прозрачности As2S3 был использован в качестве меры, пропорциональной толщине металлической пленки. Установлено, что зависимость толщины металлических пленок от времени хранения изменяется по линейному закону для Ag-As2S3, а для Cu-As2S3 зависимость может быть аппроксимирована двумя различными линейными участками. На основании сравнения уменьшения толщины металлического слоя выявлено, что структура Ag-As2S3 значительно более стабильна, чем структура Cu-As2S3. Сделано предположение, что при хранении в темноте исследуемых структур серебро в отличие от меди практически не взаимодействует с As2S3, хотя его диффузия в пленку As2S3 при хранении происходит непрерывно. Ключевые слова: халькогенидный стеклообразный полупроводник, тонкопленочные структуры, спектры пропускания, фотодиффузия. -18
  • Венгер Е.Ф., Мельничук А.В., Стронский А.В. Фотостимулированые процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение. Киев: Академпериодика, 2007. 285 с
  • Сейсян Р.П. // ЖТФ. 2011. Т. 81. Вып. 8. С. 1--14. [ Seisyan R.P. // Tech. Phys. 2011. Vol. 56. N 8. P. 1061--1073.]
  • Chirita A., Prilepov V., Popescu M., Andries I., Caraman M., Jidcov I.U. // J. Optoelectron. Advanc. Mater. 2015. Vol. 17. N 7--8. P. 925--929
  • Настас А.М., Иову М.С., Тридух Г.М., Присакар А.М. // ЖТФ. 2015. Т. 85. Вып. 3. С. 148--150. [ Nastas A.M., Iovu M.S., Tridukh G.M., Prisakar A.M. // Tech. Phys. 2015. Vol. 60. N 3. P. 466--468.]
  • Настас А.М., Иову М.С., Присакар А.М. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. Вып. 9. С. 80--85. [ Nastas A.M., Iovu M.S., Prisakar A.M. // Tech. Phys. Lett. 2014. Vol. 40. N 5. P. 401--403.]
  • Nastas A.M., Iovu M.S., Prisacar A.M., Meshalkin A.Yu., Sergeev S.A. // J. Non-Crystall. Sol. 2016. Vol. 438. P. 7--9
  • Настас А.М., Йову М.С., Присакар А.М., Тридух Г.М. // ЖТФ. 2017. Т. 87. Вып. 9. С. 1395--1398. [ Nastas A.M., Iovu M.S., Prisakar A.M., Tridukh G.M. // Tech. Phys. 2017. Vol. 62. N 9. P. 1403--1406.]
  • Индутный И.З., Костышин М.Т., Касярум О.П., Минько В.И., Михайловская Е.В., Романенко П.Ф. Фотостимулированные взаимодействия в структурах металл--полупроводник. Киев: Наук. думка, 1992. С. 240
  • Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.findpatent.ru/patent/216/2165637.html
  • Сопинский Н.В., Костышин M.T. // ФХС. 2000. Т. 26. Вып. 6. С. 828--838. [ Sopinskii N.V., Kostyshin M.T. // Glass Phis. Chem. 2000. Vol. 26. N 6. P. 569--576.]
  • Электронный ресурс. Режим доступа: http://books.ifmo.ru/file/pdf/146.pdf
  • Электронный ресурс. Режим доступа: http://lab.bmstu.ru/s\_publication1.htm
  • Электронный ресурс. Режим доступа: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuufiz\_2011\_29\_16
  • Настас А.М., Андриеш А.М., Бивол В.В., Присакарь А.М., Тридух Г.М. // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. Вып. 1. С. 89--94. [ Nastas A.M., Andriesh A.M., Bivol V.V., Prisakar A.M., Tridukh G.M. // Tech. Phys. Lett. 2006. Vol. 32. N 1. P. 45--47.]
  • Раков А.В. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур. М.: Советское радио, 1975. 176 с
  • Несеребряные фотографические процессы / Под. ред. А.Л. Картужанского. Л.: Химия, 1984. 376 с
  • Электронный ресурс. Режим доступа: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef\_2014\_6\_2\_15
  • Lybin V., Arsh A., Klebanov M., Sroumin N., Kantarovich K., Bar I., Dror R., Sfez B. // J. Optoelectron. Adv. Mater. 2008. Vol. 10. N 12. P. 3182--3187
  • Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Под ред. К.Д. Цэндина. СПб.: Наука, 1996. 486 с
  • Электронный ресурс. Режим доступа: http://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/6378
  • Электронный ресурс. Режим доступа: ttps://elibrary.ru/item.asp?id=22854631
  • Электронный ресурс. Режим доступа: https://elibrary.ru/item.asp?id=27811986
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.