Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2019, выпуск 7 » Статья стр. 1086
<<<>>>
Влияние адсорбированных молекул СО на электронное состояние нанопленок иттербия, выращиваемых на кремниевых подложках
DOI: 10.21883/JTF.2019.07.47804.47-19
Переводная версия: 10.1134/S1063784219070156
Кузьмин М.В.1, Митцев М.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: m.kuzmin@mail.ioffe.ru, M.Mittsev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 февраля 2019 г.
В окончательной редакции: 13 февраля 2019 г.
Принята к печати: 13 февраля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.
PDF версия
Исследована адсорбция молекул монооксида углерода (СО) на нанопленках иттербия толщиной 16-200 монослоев (6.1-76 nm). Пленки выращены на монокристаллических кремниевых подложках с ориентацией поверхности Si (111). Показано, что иттербий до адсорбции молекул СО находится в двухвалентном состоянии с электронной конфигурацией [Xe]4f146s2. При адсорбции молекул газа в пленках в той их области, которая прилегает к поверхности, формируется слой, в котором иттербий трехвалентен (электронная конфигурация [Xe]4f135d16s2). Произведены оценки толщины модифицированного адсорбированными молекулами СО слоя. Эти оценки дали значения, заключенные в пределах 9-22 монослоя (3.4-8.4 nm).
  1. Шикин А.М. Формирование, электронная структура и свойства низкоразмерных структур на основе металлов. СПб.: ВВМ, 2011. 432 с
  2. Cao G., Wang Y. Nanostructures and Nanomaterials: Synthesis, Properties, and Applications. Vol. 2. World Scientific, 2011. 596 p. DOI: 10.1142/7885
  3. Yang B., Lin X., Gao H.-J., Nilius N., Freund H.-J. // J. Phys. Chem. C. 2010. Vol. 114. N 19. P. 8997-9001. DOI: 10.1021/jp100757y
  4. Zhu L., Zhang L., Virkar A.V. // J. Electrochem. Soc. 2018. Vol. 165. N 3. P. F232-F237. DOI: 10.1149/2.0011805jes
  5. Qin Z.-H., Lewandowski M., Sun Y.-N., Shaikhutdinov S., Freund H.-J. // J. Phys. Condens. Mat. 2009. Vol. 21. P. 134019. DOI: 10.1088/0953-8984/21/13/134019
  6. Wilson E.L., Chen Q., Brown W.A., Thornton G. // J. Phys. Chem. C. 2007. Vol. 111. P. 14215-14222
  7. Jakob P., Schlapka A. // Surf. Sci. 2007. Vol. 601. P. 3556-3568. DOI: 10.1016/j.susc.2007.06.035
  8. Voigts F., Bebensee F., Dahle S., Volgmann K., Maus-Friedrichs W. // Surf. Sci. 2009. Vol. 603. P. 40-49. DOI: 10.1016/j.susc.2008.10.016
  9. Кузьмин М.В., Митцев М.А. // ФТТ. 2010. Т. 52. Вып. 3. С. 577-584
  10. Бутурович Д.В., Кузьмин М.В., Логинов М.В., Митцев М.А. // ФТТ. 2015. Т. 57. Вып. 9. С. 1822-1829
  11. Митцев М.А., Кузьмин М.В., Логинов М.В. // ФТТ. 2016. Т. 58. Вып. 10. С. 2054-2058
  12. Митцев М.А., Кузьмин М.В. // ФТТ. 2018. Т. 60. Вып. 7. С. 141-1422. DOI: 10.21883/FTT.2018.07.46133.024
  13. Кузьмин М.В., Митцев М.А. // ФТТ. 2011. Т. 53. Вып. 6. С. 1224-1229
  14. Самсонов Г.В. Свойства элементов. Ч. 1. Физические свойства. Справочник. 2-е изд. M.: Металлургия, 1976. 599 с
  15. Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок / Пер с англ. М.: Мир, 1980. 342 с
  16. Powell C.J., Jablonski A. NIST Electron Inelastic-Mean-Free-Path Database. Version 1.2, SRD 71. National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD. 2010
  17. Gerken F., Barth J., Kammerer R., Johansson L.I., Flodstrom A. // Surf. Sci. 1982. Vol. 117. P. 468-474

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme