Легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs
Совет по грантам Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых и по государственной поддержке ведущих научных школ Российской Федерации, ЭНЕРГОЭФФЕКТИВНОСТЬ И ЭНЕРГОСБЕРЕЖЕНИЕ, В ТОМ ЧИСЛЕ ВОПРОСЫ РАЗРАБОТКИ НОВЫХ ВИДОВ ТОПЛИВА, СП-749.2016.1
Путято М.А.1, Валишева Н.А.1, Петрушков М.О.1, Преображенский В.В.1, Чистохин И.Б.1, Семягин Б.Р.1, Емельянов Е.А.1, Васев А.В.1, Скачков А.Ф.2, Юрко Г.И.2, Нестеренко И.И.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Публичное АО ”Сатурн“, Краснодар, Россия
Email: puma@isp.nsc.ru, valisheva@isp.nsc.ru, maikdi@isp.nsc.ru, pvv@isp.nsc.ru, igor@isp.nsc.ru, sbr@isp.nsc.ru, e2a@isp.nsc.ru, vasev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2018 г.
В окончательной редакции: 27 декабря 2018 г.
Принята к печати: 7 февраля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.
Обсуждены проблемы создания легких гибких солнечных элементов на основе гетероэпитаксиальных структур соединений AIIIBV с удалением подложки методом растворения. Предложены подходы к их решению. Изготовлен двухкаскадный легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs. Определены массогабаритные характеристики солнечного элемента и проведены его испытания на изгиб. Удельный вес составил 0.51 kg/m2, а допустимый радиус изгиба - 36 mm. Измерены вольт-амперные характеристики солнечного элемента для спектра AM0 и AM1.5D при 28.6 и 25oC соответственно. В первом случае значение коэффициента полезного действия солнечного элемента составило 23.1, а во втором - 28.3%.
- Shahrjerdi D., Bedell S.W., Bayram C., Lubguban C.C., Fogel K., Lauro P., Ott J.A., Hopstaken M., Gayness M., Sadana D. // Adv. Energy Mater. 2012. Vol. 3. N 5. P. 566--571. DOI: 10.1002/aenm.201200827
- Strobl G.F.X., Ebel L., Fuhrmann D., Guter W., Kern R., Khorenko V., Kostler W., Meusel M. // Proc. IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC). Denver, CO, USA, 2014. P. 3595--3600. DOI: 10.1109/PVSC.2014.6924884
- Паханов Н.А., Андреев В.М., Шварц М.З., Пчеляков О.П. // Автометрия. 2018. Т. 54. Вып. 2. С. 93--112. DOI: 10.15372/AUT20180211
- Green M.A., Emery K., Hishikawa Y., Warta W., Dunlop E.D., Levi D.H., Ho-Baillie A.W.Y. // Prog. Photovolt.: Res. Appl. 2016. Vol. 25. N 1. P. 3--13. DOI: 10.1002/pip.2855
- Green M.A. // Prog. Photovolt. Res. Appl. 2017. Vol. 25. N 4. P. 333--334. DOI: 10.1002/pip.2876
- Pan N. // Proc. IEEE Int. Conf. on Semiconductor Electronics (ICSE2014). Kuala Lumpur, Malaysia, 2014. P. 347--349. DOI: 10.1109/SMELEC.2014.6920869
- Yablonovitch E., Gmitter T., Harbison J.P., Bhat R. // Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 51. N 26. P. 2222--2224. DOI: 10.1063/1.98946
- Voncken M.M.A.J., Schermer J.J., van Niftrik A.T.J., Bauhuis G.J., Mulder P., Larsen P.K., Peters T.P.J., de Bruin B., Klaassen A., Kellyd J.J. // J. Electrochem. Soc. 2004. Vol. 151. N 5. P. G347--G352. DOI: 10.1149/1.1690293
- Kyusang Lee, Zimmerman Jeramy D., Xiao Xin, Sun Kai, Forrest Stephen R. // J. Appl. Phys. 2012. Vol. 111. N 3. P. 033527-1. DOI: 10.1063/1.3684555
- Zhang C., Lubyshev D., Jackson T.N., Miller D.L., Mayer T.S. // J. Electrochem. Soc. 1999. Vol. 146. N 4. P. 1597--1601. DOI: 10.1149/1.1391811
- Arslan D., Dehe A., Hartnagel H.L. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1999. Vol. 17. N 2. P. 784--787. DOI: 10.1116/1.590640
- Moran P.D., Hansen D.M., Matyi R.J., Redwing J.M., Kuecha T.F. // J. Electrochem. Soc. 1999. Vol. 146. N 9. P. 3506--3509. DOI: 10.1149/1.1392505
- Clawson A.R. // Mater. Sci. Eng. 2001. Vol. 31. N 1--6. P. 1--438. DOI: 10.1016/S0927-796X(00)00027-9
- Solar cells and their applications / Ed. by L. Fraas, L. Partain. Second Edition. Hoboken, New Jersey: Published by John Wiley \& Sons, Inc., 2010. 648 p. ISBN: 978-0-470-44633-1
- Wanlass M., Ahrenkiel R.K., Albin D.S., Car Wanlass M.W.J., Duda A., Emery K., Friedman D., Geisz J.F., Jones K.M., Kibbler A.E., Kiel J., Kurtz S., McMahon W.E., Moriarty T., Olson J.M., Ptak A.J. Monolithic, Ultra-Thin GaInP/GaAs/GaInAs Tandem Solar Cells. In: Proc. 4th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion, Waikoloa, Hawaii, USA, 2006. P. 729. DOI: 10.1109/WCPEC.2006.279559
- Patel P., Aiken D., Boca A., Cho B., Chumney D., Clevenger M.B., Cornfeld A., Fatemi N., Lin Y., McCarty J., Newman F., Sharps P., Spann J., Stan M., Steinfeldt J., Strautin C., Varghese T. // IEEE J. Photovolt. 2012. Vol. 2. N 3. P. 377--381. DOI: 10.1109/JPHOTOV.2012.2198048
- Григорьева И.С., Мейлихова Е.З. Физические величины: справочник. Первое издание. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с
- Дриц М.Е., Будберг П.Б., Бурханов Г.С., Дриц А.М., Пановко В.М. Свойства элементов. Справочник. Металлургия. Первое издание. М.: Металлургия, 1985. 671 с
- Бобылев А.В. Механические и технологические свойства металлов. Второе издание. М.: Металлургия, 1987. 208 с
- Blakemore J.S. // J. Appl. Phys. 1982. Vol. 53. N 10. P. R123--R181. DOI: 10.1063/1.331665
- Bertness K.A., Kurtz S.R., Friedman D.J., Kibbler A.E., Kramer C., Olson J.M. // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 65. N 8. P. 989--991. DOI: 10.1063/1.112171
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
