Вышедшие номера
Механизмы токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния
Переводная версия: 10.1134/S1063784219060227
Тихов С.В.1, Горшков О.Н.1, Белов А.И.1, Антонов И.Н.1, Морозов А.И.1, Коряжкина М.Н.1, Михайлов А.Н.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: mahavenok@mail.ru
Поступила в редакцию: 4 октября 2018 г.
В окончательной редакции: 4 октября 2018 г.
Принята к печати: 1 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.

Исследованы особенности резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния. Установлены закономерности токопереноса в исходном состоянии, после электроформовки и резистивного переключения конденсаторов при разных температурах. Определены параметры малосигнальной эквивалентной схемы конденсатора в зависимости от переключения в низкоомное или высокоомное состояние, которые свидетельствуют об изменении сопротивления филаментов при каждом новом переключении. Это позволяет использовать такие измерения с целью выяснения природы резистивных переключений и эффективного контроля воспроизводимости их параметров. Установлена роль ловушек для электронов при переключении. Обнаружена ионная миграционная поляризация при температурах выше 500 K, определены энергия активации миграции ионов и концентрация ионов. Впервые обнаружено и объяснено явление резистивного переключения под действием температуры.