Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2019, выпуск 6 » Статья стр. 927
<<<>>>
Механизмы токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния
DOI: 10.21883/JTF.2019.06.47642.354-18
Переводная версия: 10.1134/S1063784219060227
Тихов С.В.1, Горшков О.Н.1, Белов А.И.1, Антонов И.Н.1, Морозов А.И.1, Коряжкина М.Н.1, Михайлов А.Н.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: mahavenok@mail.ru
Поступила в редакцию: 4 октября 2018 г.
В окончательной редакции: 4 октября 2018 г.
Принята к печати: 1 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.
PDF версия
Исследованы особенности резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния. Установлены закономерности токопереноса в исходном состоянии, после электроформовки и резистивного переключения конденсаторов при разных температурах. Определены параметры малосигнальной эквивалентной схемы конденсатора в зависимости от переключения в низкоомное или высокоомное состояние, которые свидетельствуют об изменении сопротивления филаментов при каждом новом переключении. Это позволяет использовать такие измерения с целью выяснения природы резистивных переключений и эффективного контроля воспроизводимости их параметров. Установлена роль ловушек для электронов при переключении. Обнаружена ионная миграционная поляризация при температурах выше 500 K, определены энергия активации миграции ионов и концентрация ионов. Впервые обнаружено и объяснено явление резистивного переключения под действием температуры.
  1. Щука А.А. Наноэлектроника. М.: БИНОМ, Лаборатория знаний, 2012. 342 с
  2. Wong H., Iwai H. // Microelectron. Engineer. 2006. Vol. 83. N 10. P. 1867-1904. DOI: 10.1016/j.mee.2006.01.271
  3. Micheloni R., Crippa L., Marelli N. Inside NAND Flash Memories. Luxembourg: Springer, 2010. 582 p. DOI: 10.1007/978-90-481-9431-5
  4. Перевалов T.В., Гриценко В.А. // УФН. 2010. Т. 180. Вып. 6. С. 587-603. [ Perevalov T.V., Gritsenko V.A. // Phys. Uspekhi. 2010. Vol. 53. N 6. P. 561-575. DOI: 10.3367/UFNe.0180.201006b.0587]
  5. Gritsenko V.A., Perevalov T.V., Islamov D.R. // Phys. Report. 2016. Vol. 613. P. 1-20. DOI: 10.1016/j.physrep.2015.11.002
  6. Sharath S.U., Vogel S., Molina-Luna L., Hildebrandt E., Wenger C., Kurian J., Duerrschnabel M., Niermann T., Niu G., Calka P., Lehmann M., Kleebe H.-J., Schroeder T., Alff L. // Adv. Funct. Mater. 2017. Vol. 27. N 32. P. 1700432-1-1700432-13. DOI: 10.1002/adfm.201700432
  7. Han R., Huang P., Zhao Y., Chen Z., Liu L., Liu X., Kang J. // Nanoscale Res. Lett. 2017. Vol. 12. N 37. P. 1-6. DOI:10.1186/s11671-016-1807-9
  8. Chen Y.-C., Lin C.-Y., Huang H.-C., Kim S., Fowler B., Chang Y.-F., Wu X., Xu G., Chang T.-C., Lee J.C. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2018. Vol. 51. N 5. P. 055108-1-055108-17. DOI: 10.1088/1361-6463/aaa1b9
  9. Дмитриев С.Г. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 6. С. 854-858. [ Dmitriev S.G. // Semiconductors. Vol. 43. N 6. P. 823-827. DOI: 10.1134/S1063782609060268]
  10. Foster A.S., Lopez Gejo F., Shluger A.L., Nieminen R.M. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 65. P. 174117-1-174117-13. DOI: 10.1103/PhysRevB.65.174117
  11. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высшая школа, 1977. 448 c
  12. Тихов C.B., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. // ЖТФ. 2016. Т. 86. Вып. 5. С. 107-111. [ Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Korolev D.S., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I. // Tech. Phys. 2016. Vol. 61. N 5. P. 745-749. DOI: 10.1134/S106378421605025X]
  13. Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. // Microelectron. Engineer. 2018. Vol. 187-188. P. 134-138. DOI: 10.1016/j.mee.2017.11.002
  14. Blanchin M.-G., Canut B., Lambert Y., Teodorescu V.S., Barau A., Zaharescu M. // J. Sol-Gel Sci. Technol. 2008. Vol. 47. N 2. Р. 165-172. DOI: 10.1007/s10971-008-1758-4
  15. Xiong K., Robertson J. // Microelectron. Engineer. 2005. Vol. 80. P. 408-411. DOI: 10.1016/j.mee.2005.04.098
  16. Перевалов T.B. // ФТТ. 2018. Т. 60. Вып. 3. С. 421-425. DOI: 10.21883/JTF.2019.06.47642.354-18 [ Perevalov T.V. // Phys. Sol. Stat. 2018. Vol. 60. N 3. P. 423-427. DOI: 10.1134/S106378341803023X]
  17. Chiu F.-C., Lin Z.-H., Chang C.-W., Wang C.-C., Chuang K.-F., Huang C.-Y., Lee J. Yamin, Hwang H.L. // J. Appl. Phys. 2005. Vol. 97. P. 034506-1-034506-4. DOI: 10.1063/1.1846131
  18. Choi S., Tan S.H., Li Z., Kim Y., Choi C., Chen P.-Yu, Yeon H., Yu S., Kim J. // Nature Materials. 2018. Vol. 17. P. 335-340. DOI: 10.1038/s41563-017-0001-5
  19. Тихов С.В., Коряжкина М.Н., Горшков О.Н, Касаткин А.П., Антонов И.Н., Морозов А.И. // Труды XXI Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 13-16 марта). 2017. Т. 2. С. 738-739
  20. Ризаханов М.А., Гасанбеков Г.М., Шейнкман М.К. // ФТП. 1975. Т. 9. Вып. 4. С. 779-782
  21. Starschich S., Menzel S., Bottger V. // Appl. Phys. Lett. 2016. Vol. 108. P. 032903-1-032903-5. DOI: 10.1063/1.4940370
  22. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 416 с
  23. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981. 176 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme