Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2019, выпуск 4 » Статья стр. 599
<<<>>>
Инверсия типа проводимости тонких пленок n-InSe под действием лазерного излучения
DOI: 10.21883/JTF.2019.04.47319.110-18
Переводная версия: 10.1134/S1063784219040145
Кязым-заде А.Г.1, Салманов В.М.1, Гусейнов А.Г.1, Мамедов Р.М.1, Агамалиев З.А.1, Салманова А.А., Ахмедова Ф.М.1
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
Email: vagif_salmanov@yahoo.com
Поступила в редакцию: 14 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.
PDF версия
Инверсия типа электропроводности тонких пленок n-InSe осуществлена мощным импульсным лазерным излучением. P-n-структура на основе селенида индия образовывалась между облученным и необлученным участками тонкопленочного образца. Рентгеноструктурным анализом установлено, что после облучения лазерным излучением состав вещества не изменяется. Инверсия тока проводимости образца обусловлена изменением динамики поведения дефектов кристаллической решетки за счет нагрева.
  1. Пляцко С.В., Кладько В.П. // ФТП. 1997. Т. 31. Вып. 10. С. 1206--1210
  2. Кашкаров П.К., Петров В.И., Птицын Д.В. // ФТП. 1989. Т. 23. С. 2080--2082
  3. Sizov F.F., Plyatsko S.V. // J. Crystal Growth. 1988. Vol. 92. P. 571--580
  4. Gromovoy Yu.S., Plyatsko S.V., Sizov F.F., Korovina L.A. // J. Phys: Condens. Matter. 1990. Vol. 2. N 10. P. 391--397
  5. Кладько В.П., Пляцко С.В. // Письма в ЖТФ. 1996. Вып. 22. С. 32--36
  6. Bertolotti M. // Cohesive Properties of Semiconductors under laser irradiation. 1983. Р. 1--33
  7. Волков Е.Ю., Лисоченко В.Р., Конакова Р.В., Охрименко О.Б., Светличный А.М. // Известия вузов. 2011. N 1/2. С. 143--146
  8. Карачинов В.А. // ФТП. 1997. Т. 31. Вып. 1. С. 53--55
  9. Сафаралиев Г.К., Эмиров Ю.Н., Курбатов М.К., Биланов Б.А. // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 8. С. 929--931
  10. Luis Marques A., Pelaz L., Aboy M., Barbolla J. // Nucl. Instrum. Methods. Phys. Rev. B. 2004. Vol. 216. P. 57--61
  11. Zhiyun Yuan, Qihonq Lou, Jun Zhou et al. // Optics Laser TYechnol. 2009. N 4. P. 380--383
  12. Гусейнов А.Г., Салманов В.М., Мамедов Р.М., Джабраилова Р., Магомедов А.З. // Изв. вузов. Физика. 2017. Т. 60. N 10. С. 88--91
  13. Ковалюк З.Д. // Моноселенид индия --- революция в наноэлектронике. Электронный ресурс. Режим доступа: www. 2geek.ru/news/336
  14. Nilanthy Balakrishnan, Kudrynskyi Z.R., Smith E.F., Fay M.W., Makarovsky O., Kovalyuk Z.D., Eaves L., Beton P.H., Patan\`e A. // IOP Publishing Ltd 2D Materials. 2017. Vol. 4. N 2. P. 025043 (1--10)
  15. Bandurin D.A., Tyurnina A.V., Geliang L.Yu., Mishchenko A., Zolyomi V., Morozov S.V., Roshan Krishna Kumar, Gorbachev R.V., Kudrynskyi Z.R., Pezzini S., Kovalyuk Z.D., Zeitler U., Novoselov K.S., Patan\`e A., Eaves L., Grigorieva I.V., Fal'ko V.I., Geim A.K., Yang Cao // Nature Nanotechnology. 2016. doi: 10.1038/nnano.2016.242
  16. Rao C.N.R., Thomas P.J., Kulkarni G.U. // Nanocrystals: Synthesis, Properties and Applications. Berlin: Springer, 2007. 180 p
  17. Рывкин С.М., Салманов В.М., Ярошецкий И.Д. // ФТТ. 1968. Т. 10. С. 1022--1025
  18. Тюрин А.В., Гавричев К.С., Зломанов В.П. // Неорган. материалы. 2007. Т. 43. N 9. С. 1031--1035

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme