Вышедшие номера
Инверсия типа проводимости тонких пленок n-InSe под действием лазерного излучения
Переводная версия: 10.1134/S1063784219040145
Кязым-заде А.Г.1, Салманов В.М.1, Гусейнов А.Г.1, Мамедов Р.М.1, Агамалиев З.А.1, Салманова А.А., Ахмедова Ф.М.1
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
Email: vagif_salmanov@yahoo.com
Поступила в редакцию: 14 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.

Инверсия типа электропроводности тонких пленок n-InSe осуществлена мощным импульсным лазерным излучением. P-n-структура на основе селенида индия образовывалась между облученным и необлученным участками тонкопленочного образца. Рентгеноструктурным анализом установлено, что после облучения лазерным излучением состав вещества не изменяется. Инверсия тока проводимости образца обусловлена изменением динамики поведения дефектов кристаллической решетки за счет нагрева.