"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля для применения в составе перовскитных солнечных элементов
Переводная версия: 10.1134/S1063784219030022
Агликов А.С.1,2, Кудряшов Д.А.1, Можаров А.М.1, Макаров С.В.2, Большаков А.Д.1, Мухин И.С.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Email: aglikov.aleksandr@gmail.com
Поступила в редакцию: 23 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Одним из перспективных направлений повышения эффективности перовскитных солнечных элементов является применение неорганических оксидов в качестве транспортных слоев. Приведены результаты исследования по изучению влияния состава газовой смеси плазменного разряда во время магнетронного напыления на оптические, электрические и структурные параметры осаждаемых тонких пленок оксида никеля. Показано, что при добавлении кислорода или азота к атмосфере чистого аргона (до 30% по объему) изменяется скорость роста (1.2-2.3 nm/min), удельное сопротивление образцов (8.5-208 Omega·cm), ширина запрещенной зоны материала (2.85-3.43 eV), а также спектральная зависимость коэффициента экстинкции, при близких структурных и морфологических параметрах синтезированных тонких пленок. Установлено, что самые низкие значения коэффициента экстинкции имеют пленки, осажденные в атмосфере чистого аргона, что определяет актуальность их использования в фотовольтаических преобразователях на основе перовскитных соединений. -18
  • Akihiro Kojima et al. // J. American Chem. Society. 2009. Vol. 131. N 17. P. 6050-6051
  • Chen Q., Zhou H., Hong Z., Luo S., Duan H.-S., Wang H.-H., Liu Y., Li G., Yang Y. // J. Am. Chem. Soc. 2014. Vol. 136. P. 622
  • Woon Seok Yang, Byung-Wook Park, Eui Hyuk Jung, Nam Joong Jeon, Young Chan Kim, Dong Uk Lee, Seong Sik Shin, Jangwon Seo, Eun Kyu Kim, Jun Hong Noh, Sang Il Seok // Science. 2017. Vol. 356. N 6345. P. 1376
  • Edri E., Kirmayer S., Kulbak M., Hodes G., Cahen D. // J. Phys. Chem. Lett. 2014. Vol. 5. P. 429
  • Wang J., Wang S., Li X., Zhu L., Meng Q., Xiao Y., Li D. // Chem. Commun. 2014. Vol. 50. P. 5829
  • Krishnamoorthy T., Kunwu F., Boix P., Li H. // J. Mater. Chem. A. 2014. Vol. 2. P. 6305
  • Jeng J.Y., Chiang Y.F., Lee M.H., Peng S.R., Guo T.F., Chen P., Wen T.-C. // Adv. Mater. 2013. N 25. P. 3727
  • Wang K.-C., Jeng J.-Y., Shen P.-S., Chang Y.-C., Diau E.W.-G., Tsai C.-H., Chao T.-Y., Hsu H.-C., Lin P.-Y., Chen P., Guo T.-F., Wen T.-C. // Sci. Rep. 2014. Vol. 4. P. 4756
  • Kee Eun Lee, Lijia Liu, Timothy L. Kelly // J. Phys. Chem. C. 2014. Vol. 118. N 48. P. 27735--27741
  • Xinchen Li, Fengxian Xie, Shaoqing Zhang, Jianhui Hou, Wallace CH Choy // Light: Sci. Appl. 2015. Vol. 4. P. 273
  • Park J.H., Seo J., Park S., Shin S.S., Kim Y.C., Jeon N.J., Shin H.W., Ahn T.K., Noh J.H., Yoon S.C. // Adv. Mater. 2015. Vol. 27. P. 4013
  • Wang K.-C., Jeng J.-Y., Shen P.-S., Chang Y.-C., Diau E.W.-G., Tsai C.-H., Chao T.-Y., Hsu H.-C., Lin P.-Y., Chen P., Guo T.-F., Wen T.-C. // Sci. Rep. 2014. Vol. 4. P. 4756
  • Grilli M.L., Menchini F., Dikonimos T., Nunziante P., Pilloni L., Yilmaz M., Piegari A., Mittiga A. // Sci. Technol. 2016. Vol. 31. P. 055016
  • Lany S., Osorio-Guillen J., Zunger A. // Phys. Rev. B. 2007. Vol. 75. P. 241203
  • Polarisation dependent Raman study of single-crystal nickel oxide Cent. Eur. // J. Phys. 2011. 9 (4). P. 1096--1099. DOI: 10.2478/s11534-010-0130-9
  • Dietz R.E., Parisot G.I., Meixner A. E. // Phys. Rev. B. 1971. Vol. 4. N 7
  • Anandan K., Rajendran V. // Mater. Sci. Semicond. Proc. 2011. Vol. 14. P. 43
  • Kaviyarasu K., Manikandan E., Kennedy J., Jayachandran M. // Mater. Lett. 2014. Vol. 120. P. 243--245
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.