Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Численное и экспериментальное исследования оптимизированного p-SOS-диода

DOI: 10.21883/JTF.2019.03.47177.208-18

Переводная версия: 10.1134/S1063784219030186

Российский научный фонд, 14-29-00094

Люблинский А.Г.¹, Белякова Е.И.¹, Грехов И.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: Alexander.Lyublinsky@mail.ioffe.ru, grekhov@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 25 мая 2018 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты экспериментального исследования и численного моделирования процесса переключения p⁺P₀n⁺-структуры SOS-диода с уменьшенной толщиной P-базы. Предложенная одномерная диффузионно-дрейфовая модель динамики электронно-дырочной плазмы дала хорошее согласие с экспериментом. Уменьшение толщины P-базы позволило повысить амплитуду выходного импульса в два раза при той же плотности коммутируемого тока. Это было достигнуто за счет существенного снижения коммутационных потерь, а также за счет формирования в процессе обрыва тока области сильного электрического поля квазипрямоугольной формы на P₀n⁺-переходе. В результате были сформированы выходные импульсы напряжения с амплитудой, существенно превышающей напряжение статического пробоя P₀n⁺-перехода p-SOS-диода. Этот эффект наблюдался впервые для высоковольтных полупроводниковых ключей размыкающего типа.

Котов Ю.А., Месяц Г.А., Рукин С.Н., Филатов А.А. // ДАН. 1993. Т. 330. Вып. 3. С. 315--317
Рукин С.Н., Цыранов С.Н. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 7. С. 989--995
Любутин С.К., Рукин С.Н., Словиковский Б.Г., Цыранов С.Н. // ФТП. 2012. Т. 46. Вып. 4. С. 535--543
Engelko A., Bluhm H. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 95. N 10. P. 5828--5836
Грехов И.В., Люблинский А.Г., Белякова Е.И. // ЖТФ. 2016. Т. 86. Вып. 3. С. 106--109
Подольская Н.И., Люблинский А.Г., Грехов И.В. // ЖТФ. 2017. Т. 87. Вып. 12. С. 1790--1793
Caughey D.M., Thomas R.E. // Proc. IEEE. 1967. Vol. 55. P. 2192--2193
Dorkel, J., Leturcq Ph. // Solid State Electron. 1981. Vol. 24. P. 821--825
Roulston D.J., Arora N.D., Chamberlain S.G. // IEEE Tr. Electron. Dev. 1982. Vol. 29. P. 284--291
Law M.E. et al. // IEEE Electron. Dev. Lett. 1991. Vol. 12. N 8. P. 401--403
Fossum J.G., Lee D.S. // Solid State Electron. 1982. Vol. 25. P. 741--747. [12 Selberherr S. // Analysis and Simulation of Semiconductor Devices. Wien, NY.: Springer-Verlag, 1984. 296 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель