Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности частотной зависимости вольт-фарадных характеристик полупроводниковой структуры фотоэлектрического преобразователя на основе p-n-перехода с антиотражающей пленкой пористого кремния

DOI: 10.21883/JTF.2018.12.46789.83-18

Переводная версия: 10.1134/S1063784218120204

Минобрнауки России , 3.9506.2017/8.9

Трегулов В.В.

¹Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия Ryazan State University named for S. Yesenin, Ryazan, Russia

Email: trww@yandex.ru

Поступила в редакцию: 23 февраля 2018 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены исследования частотной зависимости вольт-фарадных характеристик полупроводниковой структуры, содержащей антиотражающую пленку пористого кремния, сформированную электрохимическим травлением над p-n-переходом. Также исследованы спектры фотолюминесценции слоев пористого кремния экспериментальных образцов. Установлено, что характер вольт-фарадных характеристик определяется конкуренцией влияния емкости p-n-перехода и поверхностной структуры, возникающей в пленке пористого кремния вследствие неоднородности ее строения. Предложена модель строения слоев исследуемой полупроводниковой структуры и емкостная схема замещения. -18

Handbook of Porous Silicon / Ed. by L. Canham. Springer International Publishing, 2014. 1017 p
Zheng J.P., Jiao K.L., Shen W.P. // Appl. Phys. Lett. 1992. Vol. 61. P. 459--461
Трегулов В.В. // ЖТФ. 2014. Т. 84. Вып. 9. С. 153--154
Трегулов В.В., Степанов В.А., Литвинов В.Г., Ермачихин А.В. // ЖТФ. 2016. Т. 86. Вып. 11. С. 91--94
Трегулов В.В., Литвинов В.Г., Ермачихин А.В. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. Вып. 21. С. 3--9
Венгер Е.Ф., Горбач Т.Я., Кириллова С.И., Примаченко В.Е., Чернобай В.А. // ФТП. 2002. Т. 36. Вып. 3. С. 349--354
Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 6. С. 739--744
Мельник Н.Н., Трегулов В.В. // КСФ. 2015. Т. 42. Вып. 3. С. 19--24
Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 4. С. 494--498
Евтух А.А., Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Семененко Н.А. // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 2. С. 180--184

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель