Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние толщины слоя диоксида кремния на процесс электроформовки в открытых сэндвич"-структурах TiN-SiO2-W
Переводная версия: 10.1134/S106378421811018X 
ФАНО России, Программа ФНИ государственных академий наук на 2013-2020 годы , 0066-2014-0025
Мордвинцев В.М.
1, Кудрявцев С.Е.
1, Левин В.Л.
1
1Ярославский филиал Физико-технологического института РАН, Ярославль, Россия 
Email: Mordvintsev-Viktor@yandex.ru, sergeykudrjavtsev@yandex.ru, el-bek@yandex.ru
Поступила в редакцию: 10 ноября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.
На основе экспериментального исследования процесса электроформовки в открытых "сэндвич"-структурах TiN-SiO2-W (с изолирующей щелью в виде торца пленки SiO2 толщиной d 10-30 nm, открытого в вакуум) показано, что напряжение образования частиц проводящей фазы (ЧПФ), т. е. начала электроформовки, практически не меняется с уменьшением d. Процесс электроформовки инициируется не напряженностью поля, а напряжением, пороговое значение которого находится около 8.5 V. Это значение значительно выше порогового напряжения образования ЧПФ при переключениях уже отформованных структур (3-4 V). Такой результат позволяет говорить о наличии двух разных процессов нетермической активации образования ЧПФ при электронном ударе. При электроформовке - это диссоциативное прилипание электрона, приводящее к удалению атомов кислорода в вакуум и тем самым - к повышению концентрации атомов кремния на поверхности изолирующей щели. При переключениях - это изменение молекулярного состояния кислорода (или водорода) на поверхности.
- Дирнлей Дж., Стоунхэм А., Морган Д. // УФН. 1974. Т. 112. N 1. С. 83--127. [ Dearnaley G., Stoneham A.M., Morgan D.V. // Rept. Progr. Phys. 1970. Vol. 33. P. 1129-1149.]
- Pagnia H., Sotnik N. // Phys. Stat. Sol. (A). 1988. Vol. 108. N 11. P. 11--65
- Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. N 1--2. С. 174--182. [ Mordvintsev V.M., Kudryavtsev S.E., Levin V.L. // Nanotechnol. Russ. 2009. Vol. 4. N 1--2. P. 121--128.]
- Chang Y. F., Fowler B., Zhou F., Chen Y-C., Lee J.C. // Appl. Phys. Lett. 2016. Vol. 108. P. 033504
- Мордвинцев В.М., Левин В.Л. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 11. С. 66--73. [ Mordvintsev V.M., Levin V.L. // Tech. Phys. 1999. Vol. 44. N 11. P. 1322--1328.]
- Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. // Кремниевые наноструктуры. Физика. Технология. Моделирование. Ярославль. ИНДИГО. 2014. С. 493--559
- Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. N 1--2. С. 183--191. [ Mordvintsev V.M., Kudryavtsev S.E., Levin V.L. // Nanotechnol. Russ. 2009. Vol. 4. N 1--2. P. 129--137.]
- Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е. // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. N 2. С. 92--104. [ Mordvintsev V.M., Kudryavtsev S.E. // Russ. Microelectron. 2013. Vol. 42. N 2. P. 68--78.]
- Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е. // Микроэлектроника. 2017. Т. 46. N 4. С. 266--274. [ Mordvintsev V.M., Kudryavtsev S.E. // Russ. Microelectron. 2017. Vol. 46. N 4. P. 243--251.]
- Мордвинцев В.М., Наумов В.В., Симакин С.Г. // Микроэлектроника. 2016. Т. 45. N 4. С. 258--272. [ Mordvintsev V.M., Naumov V.V., Simakin S.G. // Russ. Microelectron. 2016. Vol. 45. N 4. P. 242--255.]
- Автореф. канд. дис. Захаров П.С. Эффект обратимого переключения электрической проводимости в тонких плeнках нестехиометрического оксида кремния: М. 2016. 25 с
- Елецкий А.В., Смирнов Б.М. // УФН. 1985. Т. 147. N 11. С. 459--484. [ Eletskii A.V., Smirnov B.M. // Phys. Uspekhi. 1985. Vol. 28. N 11. P. 956--971.]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
