Атомно-слоевое осаждение тонких пленок на 3D-наноструктуры: влияние наклона стенок и аспектного отношения тренчей
Фадеев А.В.1, Руденко К.В.1
1Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия
Email: AlexVFadeev@gmail.com
Поступила в редакцию: 10 ноября 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.
Развита теоретическая модель, предсказывающая пространственный профиль пленки, выращиваемой на стенках методом атомно-слоевого осаждения. Модель учитывает возможность исходного отклонения стенок тренча от вертикали, а также динамическое изменение аспектного отношения структуры по мере роста пленки в наноразмерных тренчах. Теоретически исследована зависимость результирующей толщины и конформности пленки от параметров процесса атомно-слоевого осаждения.
- Atomic Layer Deposition of Nanostructured Materials / Eds. by N. Pinna, M. Knez. Wiley-VCH Verlag \& Co. KGaA, 2012. 435 p
- Wulu C., Saraswat R.C., McVittie J.P. // J. Electrochem. Soc. 1991. Vol. 138. N 6. P. 1831--1840
- Elam J.W., Routkevitch D., Mardilovich P.P., George S.M. // Chem. Mater. 2003. Vol. 15. P. 3507--3517
- Rose M., Bartha J.W. // Appl. Surf. Sci. 2009. Vol. 255. P. 6620--6623
- Knoops H.C.M., Langereis E., van de Sanden M.C.M., Kessels M.M. // J. Electrochem. Soc. 2010. Vol. 57. N 12. P. G241--G249
- Yanguas-Gil A., Elam J.W. // ECS Trans. 2011. Vol. 41. N 2. P. 169--174
- Yanguas-Gil A., Elam J.W. // Chem. Vap. Depos. 2012. Vol. 18. P. 46--52
- Фадеев А.В., Мяконьких А.В., Руденко К.В. // ЖТФ. 2018. Т. 88. Вып. 2. С. 243--250
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
