Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Теоретический анализ эффекта dU/dt в тиристорных структурах на основе 4H-SiC
Переводная версия: 10.1134/S1063784218100250 
1Московский энергетический институт, Москва, Россия 
Email: yurkov.sn@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.
На основе результатов численного моделирования проведен анализ особенностей эффекта dU/dt в тиристорных структурах на основе 4H-SiC, связанных с реализацией в них недавно обнаруженного alpha-механизма включения. Показано, что одним из проявлений этого механизма является катастрофическое снижение блокируемого тиристором напряжения при увеличении температуры структуры. Обсуждены практические пути устранения обнаруженного эффекта.
- Кузьмин В.А. Теория эффекта dU/dt в тиристорах. В сб.: Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов. М.: Наука, 1969. С. 106
- Mnatsakanov T.T., Yurkov S.N., Levinshtein M.E., Tandoev A.G., Agarwal A.K., Palmour J.W. // Sol. Stat. Electron. 2003. Vol. 47. P. 1581-1587
- Мнацаканов Т.Т., Юрков С.Н., Тандоев А.Г. // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 3. C. 372-377
- Yurkov S.N., Mnatsakanov T.T., Levinshtein M.E., Cheng L., Palmour J.W. // Semicond. Sci. Technol. 2014. Vol. 29. P. 125012
- Mnatsakanov T.T., Rostovtsev I.L., Philatov N.I. // Sol. Stat. Electron. 1987. Vol. 30. P. 579-583
- Mnatsakanov T.T., Yurkov S.N., Levinshtein M.E., Cheng L., Palmour J.W. // Semicond. Sci. Technol. 2014. Vol. 29. P. 055005
- Levinshtein M.E., Mnatsakanov T.T., Ivanov P., Palmour J.W., Rumyantsev S.L., Singh R., Yurkov S.N. // IEEE Transactions on Electron Devices. 2001. Vol. 48. N 8. P. 1703-1710
- Levinshtein M.E., Mnatsakanov T.T., Ivanov P.A., Singh R., Palmour J.W., Yurkov S.N. // Sol. Stat. Electron. 2004. Vol. 48. N 5. P. 807-811
- Кузьмин В.А., Юрков С.Н., Тандоев А.Г., Балашова Е.Л. // Электротехника. 1988. N 8. C. 72-75
- Уваров А.И. Критический заряд включения тиристора. В сб.: Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов. М.: Наука, 1969
- Уваров А.И. Условие включения тиристора посредством кратковременных токов управления. В сб.: Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов. М.: Наука, 1969
- Yurkov S.N., Mnatsakanov T.T., Levinshtein M.E., Ivanov P.A., Agarwal A.K., Palmour J.W. // Sol. Stat. Electron. 2005. Vol. 49. P. 2011-2015
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. М.: Мир, 1984
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
