Вышедшие номера
Методика определения удельного сопротивления полупроводниковых материалов методом атомно-силовой микроскопии
Переводная версия: 10.1134/S1063784218080182
Смирнов В.А.1, Томинов Р.В.1, Алябьева Н.И.2, Ильина М.В.1, Полякова В.В.1, Быков Ал.В.1, Агеев О.А.1
1Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия
2University of Paris-Sud, Orsay cedex, France
Email: vasmirnov@sfedu.ru
Поступила в редакцию: 24 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.

Показаны результаты теоретических и экспериментальных исследований поверхности подложек кремния методом атомно-силовой микроскопии в режиме отображения сопротивления растекания, а также представлены разработки методики определения удельного сопротивления полупроводниковых материалов на основе этих исследований. Показано наличие порогового значения силы прижима зонда к поверхности подложки, при превышении которого удельное сопротивление кремния определяется достоверно. Исследовано влияние окружающей среды на значения токов в системе зонд--подложка. Показано, что для получения достоверных результатов исследования электрических параметров полупроводниковых материалов методом атомно-силовой микроскопии в режиме отображения сопротивления растекания необходимо проводить в условиях сверхвысокого вакуума.
  1. Hauquier F., Alamarguy D., Viel P. // Appl. Surf. Sci. 2012. Vol. 258. P. 2920--2926
  2. Ghanem T.K., Williams E.D., Fuhrer M.S. // J. Аppl. Рhys. 2011. Vol. 110. Р. 054305
  3. Beinik I., Kratzer M., Wachauer A. // J. Аppl. Рhys. 2011. Vol. 110. Р. 052005
  4. Eyben P., Vandervorst W., Alvarez M. // Springer Handbook of Nanotechnology. 2007. P. 31--49
  5. Clarysse T., Vanhaeren D., Hoflijk I., Vandervorst W. // Mater. Sci. Engineer. 2004. P. 123--206
  6. Alekseev A., Chen D., Ghislandi M.G., De With G., Tkalya E.E., Syurik Y., Ageev O., Loos J. // Advanced Functional Materials. 2012. Vol. 22. N 6. P. 1311--1318
  7. Syurik J., Alyabyeva N., Ageev O.A., Alekseev A. // Composites Sci. and Technol. 2014. Vol. 95. P. 38--43
  8. Syurik J., Ageev O.A., Cherednichenko D.I., Konoplev B.G., Alexeev A. // Carbon. 2013. Vol. 63. P. 317--323
  9. Ageev O.A., Konoplev B.G., Rubashkina M.V. // Nanotechnologies in Russia. 2013. Vol. 8. P. 23--28
  10. Ageev O.A., Smirnov V.A., Fedotov A.A. // Nanotechnologies in Russia. 2012. Vol. 7. P. 47--53
  11. Ageev O.A., Smirnov V.A., Solodovnik M.S. // Semiconductors. 2012. Vol. 46. N 13. P. 1616--1621
  12. Kalinin S., Gruverman A. Electrical and Electromechanical Phenomena at the Nanoscale // Springer Handbook of Nanotechnology. 2007. P. 31--49
  13. Frammelsberger W., Benstetter G., Kiely J., Stamp R.// Appl. Surf. Sci. 2007. Vol. 253. P. 3615--3626
  14. Tanuma S., Powell C.J., Penn D.R. // Surf. Interface Analysis. 1988. Vol. 11. P. 577--589
  15. Ageev O.A., Alyab'eva N.I., Konoplev B.G. // Semiconductors. 2010. Vol. 44. N 13. P. 1703--1708
  16. Avilov V.I., Ageev O.A., Smirnov V.A., Tsukanova O.G. // Semiconductors. 2014. Vol. 48. N 13. P. 1757--1762
  17. Avilov V.I., Ageev O.A., Smirnov V.A., Solodovnik M.S., Tsukanova O.G. // Nanotechnologies in Russia. 2015. Vol. 10. N 3. P. 214--219
  18. Avilov V.I., Ageev O.A., Blinov Y.F., Konoplev B.G., Polyakov V.V., Smirnov V.A., Tsukanova O.G. // Technical Phys. 2015. Vol. 60. N 5. P. 717--723

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.