Вышедшие номера
Методика определения удельного сопротивления полупроводниковых материалов методом атомно-силовой микроскопии
Переводная версия: 10.1134/S1063784218080182
Смирнов В.А.1, Томинов Р.В.1, Алябьева Н.И.2, Ильина М.В.1, Полякова В.В.1, Быков Ал.В.1, Агеев О.А.1
1Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия
2University of Paris-Sud, Orsay cedex, France
Email: vasmirnov@sfedu.ru
Поступила в редакцию: 24 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.

Показаны результаты теоретических и экспериментальных исследований поверхности подложек кремния методом атомно-силовой микроскопии в режиме отображения сопротивления растекания, а также представлены разработки методики определения удельного сопротивления полупроводниковых материалов на основе этих исследований. Показано наличие порогового значения силы прижима зонда к поверхности подложки, при превышении которого удельное сопротивление кремния определяется достоверно. Исследовано влияние окружающей среды на значения токов в системе зонд-подложка. Показано, что для получения достоверных результатов исследования электрических параметров полупроводниковых материалов методом атомно-силовой микроскопии в режиме отображения сопротивления растекания необходимо проводить в условиях сверхвысокого вакуума.