Вышедшие номера
Применение ИК микроскопии для прецизионного контроля диффузионных профилей распределения примесей железа и хрома в халькогенидах цинка
Переводная версия: 10.1134/S1063784218070204
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 15-43-02312 р_поволжье_а
Федеральное агентство научных организаций (ФАНО), тема Государственного задания, 0095-2016-0015
Котерева Т.В. 1, Иконников В.Б.1, Гаврищук Е.М.1, Потапов А.М.1, Савин Д.В.1
1Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
Email: kotereva@ihps.nnov.ru
Поступила в редакцию: 22 ноября 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

Предложена методика для прецизионного, экспрессного и неразрушающего контроля поведения допанта в лазерных средах на основе халькогенидов цинка. Полученные результаты показывают возможность определения методом ИК спектроскопии в сочетании с ИК микроскопом концентрационных профилей допанта в виде ионов Fe2+ и Cr2+ в халькогенидах цинка в интервале концентраций от 5·1017 до 2.5·1020 at/сm3 с пространственным разрешением до нескольких микрометров. Определены диффузионные профили при солегировании халькогенидов цинка несколькими примесями одновременно.
  1. Kuck S. // J. Alloys and Compounds. 2002. Vol. 341. N 1--2. P. 28--33. doi: org/10.1016/S0925-8388(02)00094-4
  2. Fedorov V.V., Mirov S.B., Gallian A., Badikov V.V., Frolov M.P., Korostelin Yu.V., Kozlovsky V.I., Landman A.I., Podmar'kov Yu.P., Akimov V.A., Voronov A.A. // IEEE J. Quant. Electron. 2006. Vol. 42. N 9. P. 907--917. doi: 10.1109/JQE.2006.880119
  3. Mirov S.B., Fedorov V.V., Martyshkin D.V., Moskalev I.S., Mirov M.S., Gapontsev V.P. // Opt. Mater. Express. 2011. Vol. 1. N 5. P. 898--910. doi: 10.1364/OME.1.000898
  4. Mirov S.B., Fedorov V.V., Martyshkin D.V., Moskalev I.S., Mirov M.S., Vasilyev S.V. // IEEE J. Selected Topics In Quant. Electron. 2015. Vol. 21. N 1. P. 1601719. doi: 10.1109/JSTQE.2014.2346512
  5. Vasilyev S., Moskalev I., Mirov M., Smolsky V., Mirov S., Gapontsev V. // Laser Technik J. 2016. Vol. 13. N 4. P. 24--27. doi: 10.1002/latj.201600022
  6. MacDonald John R., Beecher Stephen J., Lancaster Adam, Berry Patrick A., Schepler Kenneth L., Mirov Sergey B., Kar Ajoy K. // Opt. Express. 2014. Vol. 22. N 6. P. 7052--7057. doi: 10.1364/OE.22.007052
  7. Martinez A., Williams L., Fedorov V., Mirov S. // Opt. Mater. Express. 2015. Vol. 5. N 3. P. 558--565. doi: 10.1364/OME.5.000558
  8. Родин С.А., Балабанов С.С., Гаврищук Е.М., Еремейкин О.Н. // Опт. журн. 2013. Т. 80. N 5. С. 89--93. [ Rodin S.A., Balabanov S.S., Gavrishchuk E.M., Eremeykin O.N. // J. Opt. Technol. 2013. Vol. 80. N 5. P. 325--328.] doi: 10.1364/JOT.80.000325
  9. Ваксман Ю.Ф., Павлов В.В., Ницук Ю.А., Пуртов Ю.Н., Насибов А.С., Шапкин П.В. // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 4. С. 401--404. [ Vaksman Yu.F., Pavlov V.V., Nitsuk Yu.A., Purtov Yu.N., Nasibov A.S., Shapkin P.V. // Semiconductors. 2005. Vol. 39. N 4. P. 377--380.] doi: org/10.1134/1.1900247
  10. Ваксман Ю.Ф., Ницук Ю.А., Яцун В.В., Насибов А.С., Шапкин П.В. // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 4. С. 463--466. [ Vaksman Yu.F., Nitsuk Yu.A., Yatsun V.V., Nasibov A.S., Shapkin P.V. // Semiconductors. 2010. Vol. 44. N 4. P. 444--447.] doi: org/10.1134/S1063782610040068
  11. Ndap J.O., Chattopadhyay K., Adetunji O.O., Zelmon D.E., Burger A. // J. Cryst. Growth. 2002. Vol. 240. P. 176--184
  12. Ильичев Н.Н., Шапкин П.В., Насибов А.С., Мосалева С.Е. // Неорган. матер. 2007. Т. 43. N 10. С. 1175--1178. [ Il'ichev N.N., Mosaleva S.E., Shapkin P.V., Nasibov A.S. // Inorg. Mater. 2007. Vol. 43. N 10. P. 1050--1053.] doi: 10.1134/S0020168507100044
  13. Trace Analysis by Mass Spectrometry / Ed. by Arthur J. Ahearn. NY.; London: Academic Press, 1972. 474 p.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.