Влияние частичной ионизации легирующих примесей в 4H-SiC на емкость обратносмещенного p+-i-n+-диода
Иванов П.А.1, Потапов А.С.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.
Проведено численное моделирование переходного процесса в RC-цепи с обратносмещенным 4H-SiC p+-i-n+-диодом в качестве емкостного элемента (в среде SILVACO TCAD). Модельный эксперимент показал, что вследствие частичной ионизации легирующих примесей в 4H-SiC время заряда оптимально сконструированного p+-i-n+-конденсатора уменьшается по сравнению с гипотетическим случаем полной ионизации приблизительно на порядок величины. Обсуждено потенциальное влияние на переходной процесс динамики ионизации примесей.
- Pensl G., Ciobanu F., Frank T., Krieger M., Reshanov S., Schmid F., Weidner M. // Int. J. High Speed Electron. Syst. 2005. Vol. 15. N 4. P. 705--745
- Елфимов Л.Б., Иванов П.А. // ФТП. 1994. Т. 28. Вып. 1. С. 161--167
- Мнацаканов Т.Т., Левинштейн М.Е., Поморцева Л.И., Юрков С.Н. // ФТП. 2004. Том 38. Вып. 1. С. 56--60
- Contreras S., Konczewicz L., Arvinte R., Peyre H., Chassagne T., Zielinski M., Juillaguet S. // Phys. Stat. Sol. A. 2017. Vol. 214. N 4. P. 1600679
- Lades M., Kaindl W., Kaminski N., Niemann E., Wachutka G. // IEEE Trans. Electron. Dev. 1999. Vol. 46. N 3. P. 598--604
- Kaindl W., Lades M., Kaminski N., Niemann E., Wachutka G. // J. Electron. Mater. 1999. Vol. 28. N 3. P. 154--160.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
