Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние частичной ионизации легирующих примесей в 4H-SiC на емкость обратносмещенного p⁺-i-n⁺-диода

DOI: 10.21883/JTF.2018.06.46031.2517

Переводная версия: 10.1134/S1063784218060130

Иванов П.А.¹, Потапов А.С.¹, Грехов И.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 18 октября 2017 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено численное моделирование переходного процесса в RC-цепи с обратносмещенным 4H-SiC p⁺-i-n⁺-диодом в качестве емкостного элемента (в среде SILVACO TCAD). Модельный эксперимент показал, что вследствие частичной ионизации легирующих примесей в 4H-SiC время заряда оптимально сконструированного p⁺-i-n⁺-конденсатора уменьшается по сравнению с гипотетическим случаем полной ионизации приблизительно на порядок величины. Обсуждено потенциальное влияние на переходной процесс динамики ионизации примесей.

Pensl G., Ciobanu F., Frank T., Krieger M., Reshanov S., Schmid F., Weidner M. // Int. J. High Speed Electron. Syst. 2005. Vol. 15. N 4. P. 705--745
Елфимов Л.Б., Иванов П.А. // ФТП. 1994. Т. 28. Вып. 1. С. 161--167
Мнацаканов Т.Т., Левинштейн М.Е., Поморцева Л.И., Юрков С.Н. // ФТП. 2004. Том 38. Вып. 1. С. 56--60
Contreras S., Konczewicz L., Arvinte R., Peyre H., Chassagne T., Zielinski M., Juillaguet S. // Phys. Stat. Sol. A. 2017. Vol. 214. N 4. P. 1600679
Lades M., Kaindl W., Kaminski N., Niemann E., Wachutka G. // IEEE Trans. Electron. Dev. 1999. Vol. 46. N 3. P. 598--604
Kaindl W., Lades M., Kaminski N., Niemann E., Wachutka G. // J. Electron. Mater. 1999. Vol. 28. N 3. P. 154--160.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель