Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Диэлектрическая спектроскопия сильно коррелированных электронных состояний диоксида ванадия
Переводная версия: 10.1134/S1063784218060129 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Email: ilinskiy@mail.ioffe.ru, recastro@mail.ru, E.Nikulin@mail.ioffe.ru, shadr.solid@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.
В интервале температур -196<T<100oC (77<T<273 K) прослежена термическая эволюция проводимости пленки VO2 и полученной на базе данных ширины Eg запрещенной зоны нанокристаллитов пленки; определена глубина залегания примесных центров донорного типа (Ed=0.04 eV). Показано, что с ростом температуры в интервале 273<T<300 K энергия Eg уменьшается от 0.8 до ~0 eV, что обусловлено сужением энергетической щели благодаря корреляционным эффектам и позиционируется как протяженный по температуре моттовский электронный фазовый переход "диэлектрик-металл" с сохранением моноклинной симметрии решетки. Последующий скачок симметрии от моноклинной до тетрагональной при дальнейшем росте температуры позиционируется как структурный фазовый переход Пайерлса, температура которого лежит в области 340 K и определяется размерными эффектами, нестехиометрией нанокристаллитов пленки VO2 и степенью их адгезии к подложке.
- Castro R.A., Bordovski V.A., Grabko G.I. // Technic. Phys. Lett. 2010. Vol. 36. P. 783--785
- Nikonorova N.A., Balakina M.Y., Fominykh O.D., Sharipova A.V., Vakhonina T.A., Nazmieva G.N., Castro .A., Yakimansky A.V. // Mater. Chem. Phys. 2016. Vol. 181. P. 217--226
- Castro R.A., Ignatiev A.I., Nikonorov N.V., Sidorov A.I., Stolyarchuk M.V. // J. Non-Crystal. Sol. 2017. Vol. 461. P. 72--79
- Mott N.F. Metal-Insulator Transitions. M.: Nauka, 1979; Londin: Taylor Francis, 1974. 342 с
- Бугаев А.А., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход металл --- полупроводник и его применение. Л.: Наука, 1979. 183 с
- Bruckner W., Opperman H., Reichelt W., Wolf G., Chudnovsky F.A., Terukov E.I. Vanadium dioxide. Berlin: Academy-Verlag, 1983
- Пат. РФ. N 2575134. Диэлектрический метод диагностики электронных состояний в кристаллах. 2016. А.В. Ильинский, Р.А. Кастро, П.А. Набиуллина, М.Э. Пашкевич, Е.Б. Шадрин.
- Ильинский А.В., Шадрин Е.Б. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. Вып. 3. С. 54--58
- Ильинский А.В., Квашенкина О.Е., Шадрин Е.Б. // ФТП. 2012. Т. 46. Вып. 9. С. 1194--1208
- Гончарук И.Н., Ильинский А.В., Квашенкина О.Е., Шадрин Е.Б. // ФТТ. 2013. Т. 55. Вып. 1. С. 147--156
- Gatti M., Bruneval F., Olevano V., Reining L. // Phys. Rev. Lett. 2007. Vol. 99. P. 266402-1--4
- Ilinskiy А.V., Kvashenkina O.E., Shadrin E.B.// Smart Nanocomposites. 2013. Vol. 4. P. 109--114
- Мигдал А.Б. // ЖЭТФ. 1957. Т. 32. С. 399
- Шадрин Е.Б., Ильинский А.В. // ФТТ. 2000. Т. 42. Вып. 6. С. 1092
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
