Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Cтруктура и релаксация поляризованного состояния в тонких пленках Ba0.5Sr0.5Nb2O6 на подложке (001) Si
Переводная версия: 10.1134/S1063784218030179 
Павленко А.В.
1,2, Стрюков Д.В.1,2, Мухортов В.М.1,2, Бирюков С.В.1,2
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия 
2Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
2Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
Email: Antvpr@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.
Представлены результаты исследования структуры и диэлектрических характеристик тонких пленок ниобата бария-стронция, осажденных на монокристаллические подложки кремния без каких-либо буферных слоев. Установлено, что гетероструктуры обладают преимущественным направлением оси c перпендикулярно подложки, а оси a и b стохастически развернуты в плоскости положки. Изучена релаксация поляризации в подобных гетероструктурах. Показано, что методом ВЧ катодного распыления возможно получение интерфейса пленка-подложка высокого качества без заметного количества долгоживущих заряженных дефектов. DOI: 10.21883/JTF.2018.03.45600.2223
- Косцов Э.Г. // Автометрия. 2009. Т. 45. N 3. C. 3--52
- Scott J.F., Paz De Araujo C.A. // Science. 1989. Vol. 246. P. 1400--1405
- Junquera J., Ghosez P. // Nature. 2003. Vol. 422. P. 506--509
- Fong D.D., Stephenson G.B., Streiffer S.K., Eastman J.A., Auciello O., Fuoss P.H., Thompson C. // Science. 2004. Vol. 304. P. 1650--1653
- Stenge M., Spaldin N. // Nature. 2006. Vol. 443. P. 679--682
- Yang S.M., Yoon J.-G., Noh T.W. // Current Appl. Phys. 2011. Vol. 11. P. 1111--1125
- Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрики. М.: Энергоатомиздат, 2011. 175 с
- Verma A., Raghavan S., Stemmer S.D. // Appl. Phys. Lett. 2015. Vol. 107. P. 192908
- Vlex M., Pankrath R., Betzler K.J. // Cryst. Growth. 2004. Vol. 271. P. 128--133
- Мухортов В.М., Юзюк Ю.И. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. Ростов н / Д: Изд-во ЮНЦ РАН, 2008. 224 с
- Мухортов В.М., Колесников В.В., Бирюков С.В., Головко Ю.И., Мащенко А.И. // ЖТФ. 2005. Т. 75. Вып. 8. С. 126--131
- Гладкий В.В., Кириков В.А., Волк Т.Р., Ивлева Л.И. // ЖЭТФ. 2001. Т. 120. Вып. 3. C. 678--702
- Гладкий В.В., Кириков В.А., Волк Т.Р. // ФТТ. 2002. Т. 44. Вып. 2. С. 351--358
- Kleemann W. // J. Mater. Sci. 2006. Vol. 41. P. 129--136
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
