Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6-2.8 mum

DOI: 10.21883/JTF.2018.02.45414.2371

Переводная версия: 10.1134/S1063784218020172

Ильинская Н.Д. ¹, Карандашев С.А. ¹, Лавров А.А.^1,2, Матвеев Б.А. ¹, Ременный М.А.¹, Стусь Н.М. ^1,2, Усикова А.А. ¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²ООО "ИоффеЛЕД", Санкт-Петербург, Россия OOO IoffeLED, St. Petersburg, Russia

Email: ioffeled@mail.ru

Поступила в редакцию: 1 июня 2017 г.

Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты исследований фотоэлектрических, вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик фотодиодов (ФД) на основе гетероструктур InAsSbP/InAs, работающих при комнатной температуре и чувствительных в диапазоне длин волн 2.6-2.8 mum. Полученные характеристики ФД и анализ литературных данных позволяют судить о перспективности использования таких фотоприемников в ряде практических приложений.

Hodgkinson J.P., Tatam R.P. // Meas. Sci. Technol. 2013. Vol. 24. P. 012004
Malinen J., Hannula T., Zotova N.V., Karandashov S., Markov I.I., Matveev B.A., Stus' N.M., Talalakin G.N. // Proc. SPIE. 1993. Vol. 2069. P. 95--101
Данилова Т.Н., Именков А.Н., Моисеев К.Д., Тимченко И.Н., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. Вып. 10. С. 20--24
Matveev B.A., Aydaraliev M., Zotova N.V., Karandashov S.A., Il'inskaya N.D., Remennyi M.A., Stus' N.M., Talalakin G.N. // IEE Proc. J. 2003. Vol. 150. N 4. P. 356--359
Попов А.А. // Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. Вып. 20. С. 78--82
Jung S., Suchalkin S., Westerfeld D., Kipshidze G., Golden E., Snyder D., Belenky G. // Semicond. Sci. Tech. 2011. Vol. 26. P. 085022
Пенцов А.В., Слободчиков С.В., Стусь Н.М., Филаретова Г.М. // A.С. N 1 840979 // Б.И. 2014. N 32
Garnham R.A., Learmouth M.D., Rimington J.J., Ali A.S.M., Robertson M.J., Stallard W.A. // Electron. Lett. 1988. Vol. 24. N 23. P. 1416--1417
Комков О.С., Фирсов Д.Д., Ковалишина Е.А., Петров А.С. // Прикладная физика. 2014. Вып. 4. С. 93--96
Закгейм А.Л., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Лавров А.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Усикова А.А., Черняков А.Е. // ФТП. 2017. Т. 51. Вып. 2. С. 269--275
Матвеев Б. // Фотоника. 2015. Вып. 3. N 51. С. 152--164
Shellenbarger Z., Mauk M., Cox J., South J., Lesko J., Sims P., Jhabvala M., Fortin M.K. // Proc. SPIE. 1998. Vol. 3287. P. 138--145

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель