Вышедшие номера
Состав и структура наноразмерных слоев Ga1-xNaxAs, созданных в приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na+
Болтаев Х.Х.1, Содикжанов Ж.Ш.1, Ташмухамедова Д.А.1, Умирзаков Б.Е.1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
Email: ftmet@rambler.ru
Поступила в редакцию: 3 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2017 г.

В работе с использованием методов оже-электронной спектроскопии и дифракции быстрых электронов изучены состав и структура наноразмерных фаз Ga1-xNaxAs, созданных имплантацией ионов натрия в приповерхностную область GaAs. Установлено, что при E0=20 keV толщина эпитаксиального слоя трехкомпонентного соединения составляет 10-12 nm. При этом формируются трехслойные наносистемы GaAs-Ga0.5Na0.5As-GaAs. DOI: 10.21883/JTF.2017.12.45214.2233
  1. Курышев Г.Л., Ковчавцев А.П., Валишева Н.А. // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 9. С. 1111--1119
  2. Тихов С.В., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. Вып. 10. С. 78--84
  3. Масалов С.А., Коротченков А.В., Евтихиев В.П., Сорокин С.В. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. Вып. 1. С. 102--110
  4. Середен П.В., Домашеская Э.П., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Станкевич А.Л., Prutskij T. // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 1. С. 3--8
  5. Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А., Рузибаева М.К., Ташатов А.К., Донаев С.Б., Мавлянов Б.Б. // ЖТФ. 2013. Т. 83. Вып. 9. С. 146--149
  6. Donaev S.B., Umirzakov B.E., Tashmukhamedova D.A. // Techn. Phys. 2015. Vol. 60. N 10. P. 1563--1566
  7. Umirzakov B.E., Tashmukhamedova D.A., Muradkabilov D.M., Boltaev Kh.Kh. // Techn. Phys. 2013. Vol. 58. N 6. P. 841--844
  8. Эргашов Е.С., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2015. N 4. С. 38--43
  9. Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е., Ташатов А.К. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2002. N 4. С. 80--84

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.