Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Состав и структура наноразмерных слоев Ga_1-xNa_xAs, созданных в приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na⁺

DOI: 10.21883/JTF.2017.12.45214.2233

Болтаев Х.Х.¹, Содикжанов Ж.Ш.¹, Ташмухамедова Д.А.¹, Умирзаков Б.Е.¹

¹Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан Tashkent State Technical University, Tashkent, Uzbekistan

Email: ftmet@rambler.ru

Поступила в редакцию: 3 марта 2017 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В работе с использованием методов оже-электронной спектроскопии и дифракции быстрых электронов изучены состав и структура наноразмерных фаз Ga_1-xNa_xAs, созданных имплантацией ионов натрия в приповерхностную область GaAs. Установлено, что при E₀=20 keV толщина эпитаксиального слоя трехкомпонентного соединения составляет 10-12 nm. При этом формируются трехслойные наносистемы GaAs-Ga_0.5Na_0.5As-GaAs. DOI: 10.21883/JTF.2017.12.45214.2233

Курышев Г.Л., Ковчавцев А.П., Валишева Н.А. // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 9. С. 1111--1119
Тихов С.В., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. Вып. 10. С. 78--84
Масалов С.А., Коротченков А.В., Евтихиев В.П., Сорокин С.В. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. Вып. 1. С. 102--110
Середен П.В., Домашеская Э.П., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Станкевич А.Л., Prutskij T. // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 1. С. 3--8
Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А., Рузибаева М.К., Ташатов А.К., Донаев С.Б., Мавлянов Б.Б. // ЖТФ. 2013. Т. 83. Вып. 9. С. 146--149
Donaev S.B., Umirzakov B.E., Tashmukhamedova D.A. // Techn. Phys. 2015. Vol. 60. N 10. P. 1563--1566
Umirzakov B.E., Tashmukhamedova D.A., Muradkabilov D.M., Boltaev Kh.Kh. // Techn. Phys. 2013. Vol. 58. N 6. P. 841--844
Эргашов Е.С., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2015. N 4. С. 38--43
Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е., Ташатов А.К. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2002. N 4. С. 80--84

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель