Исследование процесса выключения интегрального тиристора импульсом базового тока
Грехов И.В.1, Люблинский А.Г.1, Михайлов Е.М.1, Полоскин Д.С.1, Скиданов А.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ЗАО "ВЗПП-Микрон", Воронеж, Россия
Email: grekhov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 21 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.
Для повышения предельной плотности силового тока при выключении интегрального n+p'Nn'p+-тиристора импульсом тока в цепи управления необходимо прервать инжекцию электронов из n+-эмиттера раньше начала восстановления коллекторного p'N-перехода. Это осуществляется с помощью быстро нарастающего импульса запирающего базового тока с амплитудой, равной амплитуде выключаемого тока. После обрыва инжекции эмиттера обратный ток через прибор является током дырок, выводимых из приколлекторной области через базовый электрод. Физическим механизмом, ограничивающим предельную плотность выключаемого тока в этом процессе, является, как и в IGBT-транзисторах, динамический лавинный пробой, инициируемый дырками, выводимыми через область объемного заряда коллекторного p'N-перехода.
- Грехов И.В., Жмодиков А.Л., Коротков С.В., Прижимов Е.В., Фоменко Ю.Л. // ПТЭ. 2016. N 3. С. 32-36
- Грехов И.В., Костина Л.С., Рожков А.В., Зитта Н.Ф., Матвеев В.И. // ЖТФ. 2008. Т. 78. Вып. 12. С. 78-84
- G.K. Wachutka G.K. // IEEE Tr. ED. 1991. V. 18. N 6. P. 1516-1523
- Oetjen J., Jungblut R., Kuhlmann U., Arkenun J., Sittig R. // Sol. Stat. Electron. 2000. Vol. 44. P. 117-123
- Горбатюк А.В., Грехов И.В., Гусин Д.В. // ЖТФ. 2012. Т. 82. Вып. 5. С. 57-65
- Грехов И.В., Люблинский А.Г., Скиданов А.А. // ЖТФ. 2017. Т. 87. Вып. 1. С. 155-158
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
