"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние барьерных эффектов на межфазных границах на динамическое рассеяние света в нематическом жидком кристалле
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 15-03-09316
РФФИ, 16-02-00041
Амосова Л.П.1, Бойков Д.С.1, Щербинин Д.П.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Email: l_amosova@mail.ru
Поступила в редакцию: 12 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

Исследована зависимость интенсивности динамического рассеяния света в нематическом жидком кристалле (ЖК) с отрицательной диэлектрической анизотропией ЖК-440 от напряженности постоянного электрического поля при различных условиях на межфазной границе. Показано, что возникающие на границах раздела потенциальные барьеры влияют не только на интенсивность рассеяния, но могут качественно изменять форму зависимостей: кривые оптического пропускания в направлении падающего луча могут иметь при определенной напряженности поля минимум, выше которого ячейки вновь полностью просветляются. Такой аномальный ход кривых пропускания объясняется уменьшением проводимости ячеек ниже критического значения с ростом напряжения за счет увеличения сопротивления области объемного заряда на обратно смещенном переходе экстрагирующего электрода. Показано, что причиной высокого сопротивления ячеек при малых напряжениях, помимо низкой концентрации примесей в ЖК, может являться низкая эмиссионная эффективность инжектирующего электрода и слабое сродство к электрону экстрагирующего электрода. DOI: 10.21883/JTF.2017.09.44913.2131
  1. Блинов Л.М. / УФН. 1974. Т. 114. Вып. 1. С. 67-96
  2. Блинов Л.М. Жидкие кристаллы: Структура и свойства. М.: Книжный дом ЛИБРОКОМ, 2013. 480 с
  3. Де Жен П. Физика жидких кристаллов. М.: Мир, 1977, 400 с
  4. Baise A., Teucher I., Labes M. // Appl. Phys. Lett. 1972. Vol. 21. N 4. P. 142-143
  5. Хаткевич В.И., Пинкин С.А., Тихомирова Н.А., Зейналлы А.Х. // Письма в ЖЭТФ. 1978. Т. 28. Вып. 1. С. 13-16
  6. Barret S., Gaspard F., Herino R., Mondon F. // J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47. N 6. P. 2375-2377
  7. Barret S., Gaspard F., Herino R., Mondon F. // J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47. N 6. P. 2378-2381
  8. Herino R. // J. Appl. Phys. 1981. Vol. 52. N 5. P. 3690-3692
  9. Федоряко А.П., Кочержин А.И., Кухтин М.П., Черняков Э.И. // Радиотехника. 2013. Вып. 175. С. 53-57
  10. Делев В.А., Скалдин О.А., Батыршин Э.С., Аксельрод Е.Г. // ЖТФ. 2011. Т. 81. Вып. 1. С. 11-18
  11. Вальков А.Ю., Романов В.П., Шалагинов А.Н. // УФН. 1994. Т. 164. N 2. С. 149-193
  12. Bing-Xiang Li, Borshch V., Shiyanovskii S.V., Shao-Bin Liu, Lavrentovich O.D. // Appl. Phis. Lett. 2014. Vol. 104. P. 201105 (1-4)
  13. Батыршин Э.С., Крехов А.П., Скалдин О.А., Делев В.А. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. Вып. 24. С. 14-21
  14. Geis M.W., Bos P.J. Liberman V., Rothschild M. // Opt. Expres. 2016. Vol. 24. N 13. P. 13812
  15. Коншина Е.А. Аморфный гидрогенизированный углерод и применение его в оптических устройствах. СПб: СПб НИУ ИТМО, 2010. 91 с
  16. Mortimer M. Labes. Nematic liquid crystals with charge-transfer acceptors as dopants. United State Patent. N 380.817. July 19, 1973
  17. Яфаров Р.К. // ЖТФ. 2006. Т. 76. Вып. 1. С. 42-48
  18. Алмазы в электронной технике. Сб. ст. / Под ред. В.Б. Кваскова. М.: Энергоатомиздат, 1990. 248 с
  19. Образцов А.Н., Павловский И.Ю., Волков А.П. // ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 11. С. 89-95
  20. Пчеляков О.П., Болховитянов Ю.Б., Двуреченский А.В. и др. // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 11. С. 1281-1299
  21. Коншина Е.А., Федоров М.А., Амосова Л.П., Воронин Ю.М. // ЖТФ. 2008. Т. 78. Вып. 2. С. 71-76
  22. Амосова Л.П., Чайка А.Н. // ЖТФ. 2010. Т. 80. Вып. 10. С. 129-136.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.