Вышедшие номера
Спин-туннельные магниторезистивные элементы на основе многослойных наноструктур
Амеличев В.В.1, Беляков П.А.1, Васильев Д.В.1, Жуков Д.А.1, Казаков Ю.В.1, Костюк Д.В.1, Орлов Е.П.1, Касаткин С.И.2, Крикунов А.И.3
1Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ, Зеленоград, Россия
2Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН, Москва, Россия
3ООО НПК "Фотрон--Авто", Москва, Россия
Email: goodnessgims@mail.ru
Поступила в редакцию: 29 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

Представлены результаты исследования характеристик спин-туннельных магниторезистивных (СТМР) элементов, сформированных на основе многослойных наноструктур масочным методом. Экспериментально получены параметры магнитного отжига СТМР элементов, которые показывают возможности повышения величины магниторезистивного эффекта в 4-5 раз и более. Исследованы тестовые образцы СТМР элементов, обладающие величиной гигантского магниторезистивного эффекта до 50% и сопротивлением 30-35 kOmega, в отсутствие магнитного поля. DOI: 10.21883/JTF.2017.08.44740.2116