Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Спин-туннельные магниторезистивные элементы на основе многослойных наноструктур

DOI: 10.21883/JTF.2017.08.44740.2116

Амеличев В.В.¹, Беляков П.А.¹, Васильев Д.В.¹, Жуков Д.А.¹, Казаков Ю.В.¹, Костюк Д.В.¹, Орлов Е.П.¹, Касаткин С.И.², Крикунов А.И.³

¹Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ, Зеленоград, Россия
²Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН, Москва, Россия Trapeznikov Institute of Control Sciences, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Trapeznikov Institute of Control Sciences, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

³ООО НПК "Фотрон--Авто", Москва, Россия

Email: goodnessgims@mail.ru

Поступила в редакцию: 29 ноября 2016 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования характеристик спин-туннельных магниторезистивных (СТМР) элементов, сформированных на основе многослойных наноструктур масочным методом. Экспериментально получены параметры магнитного отжига СТМР элементов, которые показывают возможности повышения величины магниторезистивного эффекта в 4-5 раз и более. Исследованы тестовые образцы СТМР элементов, обладающие величиной гигантского магниторезистивного эффекта до 50% и сопротивлением 30-35 kOmega, в отсутствие магнитного поля. DOI: 10.21883/JTF.2017.08.44740.2116

Ферт А. // УФН. 2008. Т. 178. N 12. С. 1336--1348
Касаткин С.И., Васильева Н.П., Муравьёв А.М. Спинтронные магниторезистивные элементы и приборы на их основе. М.: Электронинформ, 2005. 168 с
Prejbeanu I.L., Kerekes M., Sousa R.C., Sibuet H. et al. // J. Phys.: Condens. Mater. 2007. Vol. 19. P. 1--23
Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е., Панас А.И., Эпштейн Э.М. // УФН. 2009. Т. 179. N 4. С. 359--368
Касаткин С.И., Муравьёв А.М., Васильева Н.П. // Датчики и системы. 2014. N 1. С. 55--59
Park C., Zhu J.-G., Moneck M.T., Peng Y., Laughlin D.E. // J. Appl. Phys. 2006. N 99
Lu Y., Lepine B., Jezequel G., Ababou S., Alnot M., Lambert J., Renard A., Mullet M., Deranlot C., Jaffres H., Petroff F., George J.-M. // J. Appl. Phys. 2010. N 108
Абанин И.Е., Амеличев В.В., Беляков П.А., Васильев Д.В., Казаков Ю.В., Костюк Д.В., Крикунов А.И., Орлов Е.П. // Нано- и микросистемная техника. N 4. 2015. С. 10--14
Wang W.G., Ni C., Miao G.X., Weiland C., Shah L.R., Fan X., Parson P., Jordan J., Kou X.M., Zhang Y.P., Stearrett R., Nowak E.R., Opila R., Moodera J.S., Xiao J.Q. // Phys. Rev. 2010. N 81

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель