Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Спин-туннельные магниторезистивные элементы на основе многослойных наноструктур
1Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ, Зеленоград, Россия
2Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН, Москва, Россия
3ООО НПК "Фотрон--Авто", Москва, Россия
2Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН, Москва, Россия
3ООО НПК "Фотрон--Авто", Москва, Россия
Email: goodnessgims@mail.ru
Поступила в редакцию: 29 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.
Представлены результаты исследования характеристик спин-туннельных магниторезистивных (СТМР) элементов, сформированных на основе многослойных наноструктур масочным методом. Экспериментально получены параметры магнитного отжига СТМР элементов, которые показывают возможности повышения величины магниторезистивного эффекта в 4-5 раз и более. Исследованы тестовые образцы СТМР элементов, обладающие величиной гигантского магниторезистивного эффекта до 50% и сопротивлением 30-35 kOmega, в отсутствие магнитного поля. DOI: 10.21883/JTF.2017.08.44740.2116
- Ферт А. // УФН. 2008. Т. 178. N 12. С. 1336--1348
- Касаткин С.И., Васильева Н.П., Муравьёв А.М. Спинтронные магниторезистивные элементы и приборы на их основе. М.: Электронинформ, 2005. 168 с
- Prejbeanu I.L., Kerekes M., Sousa R.C., Sibuet H. et al. // J. Phys.: Condens. Mater. 2007. Vol. 19. P. 1--23
- Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е., Панас А.И., Эпштейн Э.М. // УФН. 2009. Т. 179. N 4. С. 359--368
- Касаткин С.И., Муравьёв А.М., Васильева Н.П. // Датчики и системы. 2014. N 1. С. 55--59
- Park C., Zhu J.-G., Moneck M.T., Peng Y., Laughlin D.E. // J. Appl. Phys. 2006. N 99
- Lu Y., Lepine B., Jezequel G., Ababou S., Alnot M., Lambert J., Renard A., Mullet M., Deranlot C., Jaffres H., Petroff F., George J.-M. // J. Appl. Phys. 2010. N 108
- Абанин И.Е., Амеличев В.В., Беляков П.А., Васильев Д.В., Казаков Ю.В., Костюк Д.В., Крикунов А.И., Орлов Е.П. // Нано- и микросистемная техника. N 4. 2015. С. 10--14
- Wang W.G., Ni C., Miao G.X., Weiland C., Shah L.R., Fan X., Parson P., Jordan J., Kou X.M., Zhang Y.P., Stearrett R., Nowak E.R., Opila R., Moodera J.S., Xiao J.Q. // Phys. Rev. 2010. N 81
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
