Вышедшие номера
Влияние нейтронного облучения на травление SiC в расплаве КОН
РНФ, № 16-42-01098
Мохов Е.Н.1, Казарова О.П.1, Солтамов В.А.1, Нагалюк С.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mokhov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2017 г.

Исследовано влияние облучения реакторными нейтронами на скорость травления кристаллов карбида кремния в расплаве щелочи гидроксида калия. Показано, что при высоких дозах облучения (1019-1021 cm-2) скорость травления карбида кремния резко возрастала, особенно в направлении [0001]Si, приводя к существенному уменьшению ориентационной анизотропии травления полярных граней. Повышенная скорость травления облученных кристаллов сохраняется после высокотемпературного отжига, вплоть до температур 1200-1400oC. Результаты объяснены присутствием в кристаллах высокой концентрации радиационных дефектов, частично находящихся в виде кластеров. DOI: 10.21883/JTF.2017.07.44686.2130