"Журнал технической физики"

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2022
- 1 2 3 4 5 6 7
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние нейтронного облучения на травление SiC в расплаве КОН

DOI: 10.21883/JTF.2017.07.44686.2130

РНФ, № 16-42-01098

Мохов Е.Н.¹, Казарова О.П.¹, Солтамов В.А.¹, Нагалюк С.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: mokhov@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 12 декабря 2016 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние облучения реакторными нейтронами на скорость травления кристаллов карбида кремния в расплаве щелочи гидроксида калия. Показано, что при высоких дозах облучения (10¹⁹-10²¹ cm^-2) скорость травления карбида кремния резко возрастала, особенно в направлении [0001]Si, приводя к существенному уменьшению ориентационной анизотропии травления полярных граней. Повышенная скорость травления облученных кристаллов сохраняется после высокотемпературного отжига, вплоть до температур 1200-1400^oC. Результаты объяснены присутствием в кристаллах высокой концентрации радиационных дефектов, частично находящихся в виде кластеров. DOI: 10.21883/JTF.2017.07.44686.2130

Muzha A., Fuchs F., Tarakina N., Trupke M., Soltamov V., Mokhov E., Baranov P.G., Dyakonov V., Krueger A., Astakhov G. // Appl. Phys. Lett. 2014. Vol. 113. P. 105--110
Veinger A.I., Zabrodskii A.G., Lomakina G.A., Mokhov E.N. // Sov. Phys. Sol. St. 1986. Vol. 28. P. 917--919
Vodakov Yu.A., Mokhov E.N. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1994. Vol. 137. Ch. 3. P. 197--206
Kyutt R.N., Lepneva A.A., Lomakina G.A., Mokhov E.N., Tregubova A.S., Shcheglov M.M., Yuldashev G.F. // Sov. Phys. Sol. St. 1998. Vol. 30. P. 1500--1502
Ping Wu // J. Cryst. Growth. 2010. Vol. 312. P. 1193--1198
Zhuang D., Edgar J.H. // Mater. Sci. Engineer. R: Reports. 2005. Vol. 48. P. 1--46
Sakwe S.A., Mueller R., Wellmann P.J. // J. Cryst. Growth. 2006. Vol. 289. P. 520--526
Katsuno M., Ohtani N., Takahashi J., Yashiro H., Kanaya M. // Jap. J. Appl. Phys. 1999. Vol. 38. Ch. 1. P. 4661-5
Syvajarvi M., Yakimova R., Janzen E. // J. Electrochem. Soc. 2000. Vol. 147. P. 3519--3522
Ha S., Nufter N.T., Rohler G.S., Graef M.D., Scowronski M. // J. Cryst. Growth. 2010. Vol. 221. P. 301-15
Hong-Yeol Kim, Yun Ji Shin, Jung Gon Kim, Hiroshi Harima, Jihyun Kim, Wook Bahng // J. Cryst. Growth. 2013. Vol. 369. P. 38--42
Das H., Krishnan B., Kotamraju S.P., Koshka J. // J. Electrochem. Mater. 2010. Vol. 39. P. 534--555
Fukunaga1 K., Suda J., Kimoto T. // Proc. SPIE 6109. 2006. Vol. 61090G
Yano T., Suzuki M., Miyazaki H., Iseki T. // J. Nucl. Mater. 1996. Vol. 233--237. P. 1275--1278

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель