Вышедшие номера
Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Бакаров А.К.1,2, Гутаковский А.К. 1, Журавлев К.С.1,2, Ковчавцев А.П.1, Торопов А.И.1, Бурлаков И.Д.3, Болтарь К.О.3, Власов П.В.3, Лопухин А.А.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3АО НПО "Орион", Москва, Россия
Email: gut@isp.nsc.ru, bakarov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 12 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии InSb слоев на подложках InSb. На основе выращенных слоев изготовлены матричные фотоприемные устройства (МФПУ) средневолнового инфракрасного диапазона. Проведено сравнение фотоэлектрических характеристик МФПУ на основе эпитаксиальных слоев и МФПУ, серийно выпускаемых с использованием монокристаллов InSb. DOI: 10.21883/JTF.2017.06.44514.1986