Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Бакаров А.К.1,2, Гутаковский А.К.
1, Журавлев К.С.1,2, Ковчавцев А.П.1, Торопов А.И.1, Бурлаков И.Д.3, Болтарь К.О.3, Власов П.В.3, Лопухин А.А.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3АО НПО "Орион", Москва, Россия
Email: gut@isp.nsc.ru, bakarov@isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.
Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии InSb слоев на подложках InSb. На основе выращенных слоев изготовлены матричные фотоприемные устройства (МФПУ) средневолнового инфракрасного диапазона. Проведено сравнение фотоэлектрических характеристик МФПУ на основе эпитаксиальных слоев и МФПУ, серийно выпускаемых с использованием монокристаллов InSb. DOI: 10.21883/JTF.2017.06.44514.1986
- Rogalski A. Progr. Quant. Electron. 2012. Vol. 36. P. 342--473
- www.scd.co.il SCD Semiconductor Devices. Israel
- www.sbfp.com Lockheed Martin Corporation Santa Barbara Focalplane. USA
- Weiguo Sun, Huitao Fan, Zhenyu Peng, Liang Zhang, Xiaolei Zhang, Lei Zhang, Zhengxiong Lu, Junjie Si, Emelyanov E., Putyato M., Semyagin B., Pchelyakov O., Preobrazhenskii V. // Inf. Phys. Technol. 2014. Vol. 62. P. 143
- Комков О.С., Семенов А.Н., Фирсов Д.Д., Мельцер Б.Я., Соловьев А.А., Попова Т.В., Пихтин А.Н., Иванов С.В. // ФТП. 2011. Т. 45. C. 1481
- Lien Tran T., Fariba Hatami, Ted Masselink W., Kunets Vas P., Salamo G.J. // J. Electron. Mater. 2008. Vol. 37. P. 1799
- Michel E., Singh G., Slivken S., Besikci C., Bove P., Ferguson I., Razeghi M. // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 65. P. 3338
- Ting D.Z., Soibel A., Keo S.A., Rafol S.B., Mumolo J.M., Liu J.K., Hill C.J., Khoshakhlagh A., Hoglund L., Luiong E.M., Gunapala S.D. // J. Appl. Rem. Sens. 2014. Vol. 8. P. 084998-1
- McConville C., Jones T., Leibsle F., Driver S., Noakes T., Schweitzer M., Richardson N. // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 50. P. 14965
- Болтарь К.О., Власов П.В., Лопухин А.А., Пономаренко В.П., Ранцан С.К., Фадеев В.В. // Прикладная физика. 2013. N 6. P. 67
- Болтарь К.О., Власов П.В., Лопухин А.А., Полунеев В.В., Рябова А.А. // Успехи прикладной физики. 2013. N 6. P. 733
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
