Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.
Работа посвящена изучению изменения состава и структуры поверхностных слоев CoSi2/Si(111) при бомбардировке ионами Ar+ с последующим отжигом. Показано, что при низких дозах (D≤ 1015 cm-2) на поверхности CoSi2 формируются нанокластерные фазы, обoгащенные атомами Si, а при высоких дозах - нанопленка чистого Si.
- LaVia F., Ravesi S., Terrasi A., Spinella C. // Appl. Surf. Sci. 1993. Vol. 73. P. 135--140
- Zaporozchenko V.I., Vojtusik S.S., Stepanova M.G., Zagorenko A.I. // Surf. Sci. Vol. 251--252. 1991. P. 159--164
- Рудаков В.И., Денисенко Ю.И., Наумов В.В., Симакин С.Г. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 3. С. 36--44
- Донаев С.Б., Ташатов А.К., Умирзаков Б.Е. // Поверхность. Рентген. синхротр. и нейтрон. исслед. 2015. N 4. С. 95--98
- Umirzakov B.E., Tashmukhamedova D.A., Khurbanov Kh.Kh. // J. Surf. Investigat. X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniq. 2011. Vol. 5. N 4. P. 693--696
- Болтаев Х.Х., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2014. N 1. С. 24--29
- Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. / Пер. с англ. М.: Мир, 1996. 486 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
