"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние высоты барьера затвор-канал на характеристики детектирования полевого транзистора в сверхвысокочастотном и терагерцовом диапазонах
РФФИ, ЭРА_а Конкурс инициативных научных проектов, проводимый РФФИ совместно с организациями-участниками программы «ERA.Net RUS plus», 16-52-76011
European cooperation, ERA.NET RUS Plus, TERASENS
Королев С.А.1, Востоков Н.В.1,2, Дьяконова Н.В.3, Шашкин В.И.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Universite Montpellier 2, Montpellier, France
Email: pesh@ipmras.ru, vostokov@ipmras.ru, ndiakonova@univ-montp2.fr, sha@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

Теоретически исследованы детектирующие свойства полевого транзистора с пониженной высотой барьера Шоттки затвора. Рассмотрены различные схемы детектора. Найдены распределения напряжения и тока вдоль канала, входной импеданс транзистора, чувствительность и мощность эквивалентная шуму (NEP). Проанализировано влияние высоты барьера Шоттки затвора на перечисленные характеристики. DOI: 10.21883/JTF.2017.05.44449.1821
  1. Sizov F., Rogalski A. // Progr. Quant. Electron. 2010. Vol. 34. N 5. P. 278--347
  2. Lu J.-Q., Shur M., Hesler J., Sun L., Weikle R. // IEEE Electr. Dev. Lett. 1998. Vol. 19. N 10. P. 373--375
  3. Otsuji T., Hanabe M., Ogawara O. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 85. N 11. P. 2119--2121
  4. Knap W., Deng Y., Rumyantsev S., Lu J.-Q., Shur M., Saylor C., Brunel L. // Appl, Phys. Lett. 2002. Vol. 80. N 18. P. 3433--3435
  5. Knap W., Kachorovskii V., Deng Y., Rumyantsev S., Lu J.-Q., Gaska R., Shur M., Simin G., Hu X., Khan M., Saylor C., Brunel L. // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 91. N 11. P. 9346--9353
  6. Knap W., Teppe F., Meziani Y., Dyakonova N., Lusakowski J., Boeuf F., Skotnicki T., Maude D., Rumyantsev S., Shur M. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 85. N 4. P. 675--677
  7. Tauk R., Teppe F., Boubanga S., Coquillat D., Knap W., Meziani Y., Gallon C., Boeuf F., Skotnicki T., Fenouillet-Beranger C., Maude D., Rumyantsev S., Shur M. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 89. N 25. P. 253511: 1--3
  8. Ojefors E., Pfeiffer U., Lisauskas A., Roskos H. // IEEE J. Sol. St. Circ. 2009. Vol. 44. N 7. P. 1968--1976
  9. Al Hadi R., Sherry H., Grzyb J., Zhao Y., Forster W., Keller H., Cathelin A., Kaiser A., Pfeiffer U. // IEEE J. Sol. St. Circ. 2012. Vol. 47. N 12. P. 2999--3012
  10. Barrett R. // United States Patent. 1987. Pat. N 4.647.848
  11. Dyakonov M., Shur M. // IEEE T. Electr. Dev. 1996. Vol. 43. N 3. P. 380--387
  12. Veksler D., Teppe F., Dmitriev A., Kachorovskii V., Knap W., Shur M. // Phys. Rev. B. 2006. Vol. 73. N 12. P. 125328: 1--10
  13. Preu S., Kim S., Verma R., Burke P., Sherwin M., Gossard A. // J. Appl. Phys. 2012. Vol. 111. N 2. P. 024502: 1--9
  14. Kachorovskii V., Rumyantsev S., Knap W., Shur M. // Appl. Phys. Lett. 2013. Vol. 102. N 22. P. 223505: 1--4
  15. Sakhno M., Golenkov A., Sizov F. // J. Appl. Phys. 2013. Vol. 114. N 16. P. 164503: 1--18
  16. Costa J., Williamson F., Miller T., Beyzavi K., Nathan M., Mui D., Strite S., Moro c H. // Appl. Phys. Lett. 1991. Vol. 58. N 4. P. 382--384
  17. Шашкин В.И., Мурель А.В., Дроздов Ю.Н., Данильцев В.М., Хрыкин О.И. // Микроэлектроника. 1997. Т. 26. N 1. С. 57--61
  18. Шашкин В.И., Мурель А.В. // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 5. С. 574--579
  19. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973. 656 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.