Вышедшие номера
Дефектная структура эпитаксиальных слоев III-нитридов на основе анализа формы рентгенодифракционных пиков
Кютт Р.Т.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: r.kyutt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Проведены экспериментальные исследования формы рентгенодифракционных эпитаксиальных слоев с большой плотностью дислокаций. Измерения проводились на рентгеновском дифрактометре в двух- и трехкристальном вариантах с использованием как CuKalpha-, так и MoKalpha-излучения. Объектами исследования были эпитаксиальные слои GaN, AlN, AlGaN, ZnO и др., выращенные разными методами на подложках сапфира, кремния и карбида кремния и имеющие разную степень структурного совершенства. Толщина слоев варьировала для разных систем от 0.5 до 30 mum. Показано, что в центральной части пиков они хорошо аппроксимируются функцией Войта с различной долей лоренцовской составляющей, а на крыльях интенсивность спадает быстрее и может быть выражена степенной функцией, при этом показатель не одинаков для разных структур. Имеет место явная зависимость от упорядоченности дислокаций. Для большинства структур с регулярной системой и регулярными прорастающими дислокациями падение интенсивности близко к теоретически предсказанному закону Deltatheta-3, для пленок с хаотическим распределением оно значительно быстрее. Рассмотрена также связь формы пиков от порядка отражения, геометрии дифракции, толщины эпитаксиальных слоев. DOI: 10.21883/JTF.2017.04.44319.2044
  1. Warren B.E., Averbach B.L. // J. Appl. Phys. 1950. Vol. 21. P. 595
  2. Кривоглаз М.А.// Теория рассеяния рентгеновских лучей и тепловых нейтронов реальными кристаллами. М.: Наука, 1987. 362 с
  3. Kirste L., Pavlov K.M., Mudie S.T., Punegov V.I., Herres N. // J. Appl. Cryst. 2005. Vol. 38. P. 183
  4. Kaganer V.M., Brandt O., Trampert A., Ploog K.H. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. P. 045448
  5. Kaganer V.M., Shalimov A., Bak-Misiuk J., Ploog K.H. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 89. P. 021922
  6. Kaganer V.M., Shalimov A., Bak-Misiuk J., Ploog K.H. // J. Phys. Condenc. Matter. 2006. Vol. 18. P. 5047
  7. Barchuk M., Holy V., Miljevich B., Krause B., Baumbach T., Hertkorn J., Scholz F. // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 108. P. 043521
  8. Lazarev S., Barcyuk M., Bauer S., Forghani K., Holy V., Sholz F., Baumbach T. // J. Appl. Cryst. 2013. Vol. 46. P. 120-127
  9. Kyutt R.N., Banshchikov A.G., Kaveev A.K., Sokolov N.S., Ohtake Y., Tabuchi M., Takeda Y., Lomov A.A. // J. Phys. D. Appl. Phys. 2007. Vol. 40. P. 4896
  10. Ratnikov V.V., Kyutt R.N., Shubina T.V., Pashkova T., Monemar B. // J. Phys. D. Appl. Phys. 2001. Vol. 34. P. 30.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.