"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Фотостимуляция проводимости и электронные свойства автоэмиссионных наноуглеродных покрытий на кремнии
Архипов А.В. 1, Габдуллин П.Г. 1, Гордеев С.К. 2, Журкин А.М. 1, Квашенкина О.Е. 1
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Центральный научно-исследовательский институт материалов, Санкт-Петербург, Россия
Email: Arkhipov@rphf.spbstu.ru, pavel-gabdullin@yandex.ru, gordeevsk@mail.ru, alezhu@inbox.ru, kvol.spbspu@gmail.com
Поступила в редакцию: 28 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Исследована электронная структура островковых углеродных пленок на кремнии, демонстрирующих способность к низковольтной полевой электронной эмиссии --- при средней напряженности электрического поля от сотен V/mm. Методом туннельной спектроскопии показано, что островки таких покрытий характеризуются сплошным спектром разрешенных делокализованных состояний вблизи уровня Ферми, т. е. содержат углерод в sp2-состоянии. Обнаружено явление фотопроводимости изучаемых покрытий. На основании исследования его токовых и спектральных характеристик показано, что островки отделены друг от друга туннельными барьерами, а от подложки --- барьером Шоттки.
  1. Xu N.S., Ejaz Huq S. // Materials Science and Engineering R: Reports. 2005. Vol. 48. N 2--5. P. 47--189
  2. Railkar T.A., Kenq W.P., Windischmann H., Malshe A.P., Neseem H.A., Devidson J.L., Brown W.D. // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. 2000. Vol. 25. N 3. P. 163--277
  3. Carey J.D. // Phil. Trans. R. Soc. Lond. A. 2003. Vol. 361. P. 2891--2907
  4. Fursey G.N. Field emission in vacuum microelectronics. NY: Kluwer Academic-Plenum Publishers. 2005. P. 205
  5. Gulyaev Yu.V., Sinitsyn N.I., Torgashov G.V., Saveliev S.G. // Appl. Surf. Sci. 2003. Vol. 215. N 1--4. P. 141--148
  6. Дюбуа Б.Ч., Королев А.Н. // Электронная техника. Серия 1: СВЧ-техника. 2011. N 1 (508). С. 5--24
  7. Obraztsov A.N. // Nanoengineered Nanofibrous Materialas, Kluwer Acad. Publ., the Netherlands. 2004. P. 329--339
  8. Krivchenko V.A., Pilevsky A.A., Rakhimov A.T., Seleznev B.V., Suetin N.V., Timofeyev M.A., Bespalov A.V., Golikova O.L. // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 107. N 1. P. 014 315
  9. Obraztsov A.N., Kleshch V.I., Smolnikovam R.A. // Beilstain J. Nanotechnol, 2013. Vol. 4. P. 493--500
  10. Kleshch V.I., Smolnikova E.A., Orekhov A.S., Kalvas Taneli, Tarvainen Olli, Kauppinen Janne, Nuottajarvi Antti, Koivisto Nannu, Janhunen Pekka, Obraztsov A.N. // Carbon. 2015. Vol. 81. P. 132--136
  11. Бугаев А.С., Ерошкин П.А., Романько В.А., Шешин Е.П. // УФН. 2013. Т. 183. С. 727--740
  12. Ерошкин П.А., Шешин Е.П. // Нано- и микросистемная техника. 2014. N 1. С. 42--44
  13. Суздальцев С.Ю., Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 11. С. 91--98
  14. Елецкий А.В. // УФН, 2010. Т. 180, N 9. С. 897--930
  15. Рейх К.В., Эйдельман Е.Д., Вуль А.Я. // ЖТФ. 2007. Т. 77. Вып. 7. С. 123--126
  16. Reich K.V., Eidelman E.D. // EPL (Europhysics Letters). 2009. Vol. 85. N 4. P. 47 007
  17. Frolov V.D., Konov V.I., Pimenov S.M., Kuzkin V.I. // Appl. Phys. A. 2004. Vol. 78. P. 21--23
  18. Захидов Ал.А., Образцов А.Н., Волков А.П., Ляшенко Д.А. // ЖЭТФ. 2005. Т. 127. Вып. 1. С. 100--106
  19. Kleshch V.I., Vasilieva E.A., Lyashenko S.A., Obronov I.V., Turnina A.V., Obraztsov A.N. // Phys. Stat. Sol. 2011. Vol. 248. N 11. P. 2623--2626
  20. Баскин Л.М., Нейттаанмяки П., Пламеневский Б.А. // ЖТФ. 2010. Т. 80. Вып. 12. С. 86--89
  21. Okotrub A.V., Bulusheva L.G., Kuznetsov V.L., Gusel'nikov A.V., Chuvilin A.L. // Applied Physics A: Materials Science \& Processing. 2005. N 2. P. 393-398
  22. Яфаров Р.К. // ЖТФ. 2006. Т. 76. Вып. 1. С. 42--48
  23. Лобанов В.М. // ЖТФ. 2005. Т. 75. Вып. 11. С. 92--96
  24. Forbes R.G. // Sol. St. Electron. 2001. Vol. 45. N 6. P. 779--808
  25. Carey J.D., Forrest R.D., Poa C.H., Silva S.R.P. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2003. Vol. 21. N 4. P. 1633--1639
  26. Gupta S., Morell G., Weiner B.R. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 95. N 12. P. 8314--8320
  27. Silva S.R.P., Amaratunga G.A.J., Okano K. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1999. Vol. 17. N 2. P. 557--561
  28. Zhirnov V.V., Shenderova O.A., Jaeger D.L., Tyler T., Areshkin D.A., Brenner D.W., Hren J.J. // ФТТ. 2004. Т. 46. Вып. 4. С. 641--645
  29. A.V. Arkhipov, P.G. Gabdullin, S.I. Krel, M.V. Mishin, A.L. Shakhmin, S.K. Gordeev, S.B. Korchagina S.B. // Fulleren. Nanotub. Carbon Nanostructur. 2012. Vol. 20. N 4--7. P. 468--472
  30. Архипов А.В., Гнучев Н.М., Крель С.И. // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физ.-мат. науки. 2012. N 4 (158). С. 98--103
  31. Архипов А.В., Габдуллин П.Г., Гнучев Н.М., Емельянов А.Ю., Крель С.И. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. Вып. 23. С. 58--66
  32. Yi-Chun Chen, Hsiu-Fung Cheng, Yun-Shuo Hsieh, You-Ming Tsau // J. Appl. Phys. 2003. Vol. 94. N 12. P. 7739--7742
  33. Hagmann M.J. // Proc. SPIE. 2004. Vol. 5352. P. 372--381
  34. Guiset P., Combrie S., De Rossi A., Carras M., Schnell J.P., P. Legagneux P. // Proc. SPIE. 2008. Vol. 7037. P. 70370Q
  35. Dispenza M., Brunetti F., Cojocaru C.-S., de Rossi A., Di Carlo A., Dolfi D., Durand A., A.M. Fiorello, Gohier A., Guiset P., Kotiranta M., Krozer V., Legagneux P., Marchesin R., Megtert S., Bouamrane F., Mineo M., Paoloni C., Pham K., Schnell J.P., Secchi A., Tamburri E., Terranova M.L., Ulisse G., Zhurbenko V. // Proc. SPIE. 2010. Vol. 7837. P. 783 706
  36. Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. Вып. 7. С. 8--15
  37. Румянцев В.В., Морозов С.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И., Козлов Д.В. // ФТП. 2012. Т. 46. Вып. 11. С. 1414--1418
  38. Фоменко В.С. Эмиссионные свойства материалов. Киев: Наукова думка, 1981
  39. Корсунский М.И. Аномальная фотопроводимость. М.: Наука, 1972. 192 с
  40. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. М.: Мир, 1984. 455 с
  41. Месяц Г.А., Насибов А.С., Кремнев В.В. Формирование наносекундных импульсов высокого напряжения. М.: Энергия, 1970. 155 с
  42. Александров О.В., Дусь А.И. // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 11. С. 1400--14006
  43. Иоссель Ю.Я., Кочанов Э.С., Струнский М.Г. Расчет электрической емкости. Л.: Энергоиздат, 1981. 288 с
  44. Latham R.V. // IEEE Transactions on Electrical Insulation. 1988. Vol. 23. N 1. P. 9--16
  45. Ilie A., Hart A., Flewitt A.J., Robertson J., Milne W.I. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 88. N 10. P. 6002--6010
  46. Kishore Uppireddi, WeinerB.R., Morell G. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103. N 10. P. 104 315
  47. Koh A.T.T., Foong Y.M., Yu J., Chua D.H.C., Wee A.T.S., Kudo Y., Okano K. // J. Appl. Phys. 2011. Vol. 110. N 3. P. 034 903
  48. Dideykin A.T., Eidelman E.D., Vul A.Ya. // Sol. St. Commun. 2003. Т. 126. N 9. С. 495 -498
  49. Eidelman E.D., Vul' A.Ya. // J. Phys.. Condensed Matter. 2007. Vol. 19(7). P. 266 210--266 223
  50. Рейх К.В., Эйдельман Е.Д. // ФТТ. 2011. Т. 53. Вып. 8. C. 1618--1620
  51. Мейлахс А.П., Эйдельман Е.Д. // Письма ЖЭТФ. 2014. Т. 100. N 2. С. 89--93
  52. Wei X.L. Golberg D., Chen Q., Bando Y.. Peng L.M. // Nano Lett. 2011. Vol. 11. N 2. P. 734--739
  53. Wei Xianlong, Bando Yoshio, Golberg D. // ACS Nano. 2012. Vol. 6. N 1. P. 705--711
  54. Cui J.B., Ristein J., Ley L. // Phys. Rev. 1999. Vol. 60. N 23. P. 16 135--16 142
  55. Robertson J. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1999. Vol. 17. N 2. P. 659--665
  56. Соминский Г.Г., Сезонов В.Е., Саксеев Д.А., Тумарева Т.А. // ЖТФ. 2011. Т. 81. N 6. С. 104--108
  57. Nose Kenji, Fujita Ryuhei, Kamiko Masao, Mitsuda Yoshitaka // J. Vac. Sci. Technol. 2012. Vol. 30. P. 011 204
  58. Geis M.W., Efremow N.N., Krohn K.E., Twichell J.C., Lyszczarz T.M., Kalish R., Greer J.A., Tabat M.D. // Nature. 1998. Vol. 393. P. 431--435
  59. Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966. 564 с
  60. Рейх К.В., Эйдельман Е.Д., Дидейкин А.Т., Вуль Ф.Я. // ЖТФ. 2008. Т. 78. Вып. 2. С. 119--122.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.