Представлены результаты сравнительного исследования структурных и оптических свойств композиционных слоев, сформированных имплантацией монокристаллического кремния (c-Si) ионами Ge⁺ (40 keV / 1·10¹⁷ ion/cm²), Ag⁺ (30 keV / 1.5·10¹⁷ ion/cm²), а также последовательным облучением Ge⁺ и Ag⁺. Установлено, что внедрение ионов Ge⁺ приводит к образованию мелкозернистого аморфного поверхностного слоя Ge : Si толщиной 60 nm с размером отдельных зерен 20-40 nm. При имплантации c-Si ионами Ag⁺ сформирована субмикронная пористая аморфная структура a-Si толщиной ~50 nm, содержащая ионно-синтезированные наночастицы Ag. Показано, что внедрение ионов Ag⁺ в слой Ge : Si стимулирует образование пор с наночастицами Ag с более однородным распределением по размерам. В спектрах отражения имплантированных слоев Ag : Si и Ag : GeSi наблюдалось резкое снижение интенсивности в ультрафиолетовой области (220-420 nm) относительно c-Si более, чем на 50% вследствие аморфизации и структуризации его поверхности. Образование наночастиц Ag в имплантированных слоях сопровождалось появлением в оптических спектрах селективной полосы плазмонного резонанса с максимумом при ~ 820 nm. Впервые на практике показаны технологические пути получения нового композиционного материала на основе GeSi с наночастицами Ag.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.