Вышедшие номера
Индуцированная подложкой запрещенная щель в спектре эпитаксиального бислоя графена
Алисултанов З.З.1,2,3
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
3Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
Email: zaur0102@gmail.com
Поступила в редакцию: 2 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

Показано, в что спектре двуслойного графена, сформированного на поверхности полупроводника, возможно открытие запрещенной зоны. Сделаны оценки величины щели для различных политипов SiC. Предсказанный эффект имеет важное значение для практического использования графена.