Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние режимов имплантации ионов серебра на структуру и оптические свойства нанокристаллических пленок оксида цинка
1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия 
2Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань, Россия
2Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань, Россия
Email: nik061287@mail.ru
Поступила в редакцию: 30 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.
Тонкие, толщиной ~270 nm, нанокристаллические пленки оксида цинка (ZnO) были получены на кварцевых подложках методом ионного распыления и затем подвергнуты облучению ионами Ag+ с энергией 30 keV с высокими дозами при трех значениях плотности ионного тока: 4, 8 и 12 muA/cm2. Методами рентгеноструктурного анализа, сканирующей электронной микроскопии и оптической спектроскопии исследовано влияние дозы облучения и плотности ионного тока на модификацию структуры и оптических свойств пленок ZnO. Обнаружено нетривиальное поведение структурных и оптических параметров пленок от режимов ионного облучения, что связано с радиационным нагревом и распылением пленки под действием ионного пучка, процессами диффузии примеси и формирования наночастиц серебра в облученном слое при высоких дозах имплантации, а также диффузией имплантированной примеси при повышенных плотностях ионного тока.
- Maier S.A. Plasmonics: Fundamentals and Applications, Springer Science. 2007, 223 p
- Kelly K.L., Coronado E., Zhao L.L., Schatz G.C. // J. Phys. Chem. B. 2003. Vol. 107. P. 668--677
- De Angelis F. et al. // Nat. Photon. 2011. Vol. 5. P. 682--687
- Gerard D., Wenger J., Bonod N., Popov E., Rigneault H., Mahdavi F., Blair S., Dintinger J., Ebbesen T.W. // Phys. Rev. B. 2008. Vol. 77. P. 045413
- Willets K.A., Van Duyne R.P. // Annu. Rev. Phys. Chem. 2007. Vol. 58. P. 267--297
- Lyadov N.M., Gumarov A.I., Valeev V.F., Nuzhdin V.I., Bazarov V.V., Faizrakhmanov I.A. // Tech. Phys. 2014. Vol. 59. N 5. P. 692--695
- Lyadov N.M., Gumarov A.I., Kashapov R.N., Noskov A.I., Valeev V.F., Nuzhdin V.I., Bazarov V.V., Khaibullin R.I., Faizrakhmanov I.A. // Semiconductors. 2016. Vol. 50. N 1. P. 44--50
- Stepanov A.L., Khaibullin R.I., Valeev V.F., Osin Yu.N., Nuzhdin V.I., Faizrakhmanov I.A. // Tech. Phys. 2009. Vol. 54. N 8. P. 1162--1167
- Stepanov A.L., Chichkov B.N., Valeev V.F., Nuzhdin V.I., Faizrakhmanov I.A. // Tech. Phys. 2008. Vol. 34. N 3. P. 184--186.
- Faizrakhmanov I.A., Bazarov V.V., Stepanov A.L., Khaibullin I.B. // Semiconductors. 2006. Vol. 40. N 4. P. 414--419
- Myers M.A., Myers M.T., Chen-Fong Tsai, Joon Hwan Lee, Tianlin Lu, Lin Shao, Haiyan Wang // J. Vac. Sci. Technol. A. 2011. Vol. 29. N 3. P. 03A108-1
- Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Хайбуллин И.Б. // Поверхность. 2001. Т. 6. C. 95--98
- Mahmood A., Nadeem Ahmad, Raza Q., Taj Muhammad Khan, Mehmood M., Hassan M.M., Mahmood N. // Phys. Scr. 2010. Vol. 82. P. 065801
- Lyadov N.M., Gumarov A.I., Valeev V.F., Nuzhdin V.I., Khaibullin R.I., Faizrakhmanov I.A. // J. Phys.: Conf. Series. 2014. Vol. 572. P. 012022
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
