Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование текстурированных пленок Ni(200) и Ni(111) методом магнетронного распыления
1Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия 
2Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А., Саратов, Россия
2Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А., Саратов, Россия
Email: yvnikulin@gmail.com
Поступила в редакцию: 20 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.
Исследовано влияние давления рабочего газа P~1.33-0.09 Pa и температуры подложки Ts~77-550 K на текстуру и микроструктуру пленок никеля, получаемых магнетронным распылением на подложках SiO2/Si. Показано, что при ростовых параметрах P~0.13-0.09 Pa и Ts~300-550 K, обеспечивающих высокую миграционную способность адатомов никеля на подложке, формируются пленки Ni(200) с переходным типом микроструктуры, для которого характерно изменение структуры от квазиоднородной к квазистолбчатой при достижении пленкой критической толщины. В условиях низкой миграционной способности, которая реализуется при P~1.33-0.3 Pa или за счет охлаждения подложки до Ts~77 K, формируются пленки Ni(111) со столбчатой микроструктурой и высокой пористостью.
- Pauleau Y., Kukielka S., Gulbinski W. et al. // J. Phys. D. Appl. Phys. 2006. Vol. 39. Р. 2803--2808
- Pratibha L.G., Mitra R., Weertman J.R. // Pure Appl. Chem. 2002. Vol. 74. P. 1519--1526
- Shimizu H., Suzuki E., Hoshi Y. // Electrochomica Acta. 1999. Vol. 44. P. 3933--3944
- Hameed S., Talagala P., Naik R. // JMMM. 2002. Vol. 242--245. P. 1264--1266
- Yi J.B., Zhou Y.Z., Ding Z.J. // JMMM. 2004. Vol. 284. P. 303--311
- Geetha P.B., Aich S., Chakraborty M. // J. Mater Sci. 2011. Vol. 46. P. 2860--2873
- Kohmoto O., Mineji N., Isagawa Y. // JMMM. 2002. Vol. 239. P. 36
- В.В. Наумов, В.Ф. Бочкарев, О.С. Трушин и др. // ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 8. С. 92--97
- Nacereddine C., Layadi A., Guittoum A. et al. // Materials Science and Engineering. B. 2007. Vol. 136. P. 197--202
- Czerwinski F., Szpunar J.A. // Textures and Microstructures. 2000. Vol. 34. P. 197--204
- Pavlova A.Y., Nikulin Y.V., Dzhumaliev A.S. et al. // Applied Surface Science. 2015. Vol. 347. P. 435--438
- Takahashi K., Kazuki Y., Kato H., Hibino H. et al. // Surface Science. 2012. Vol. 606. P. 728--732
- Джумалиев А.С., Никулин Ю.В., Филимонов Ю.А. // ЖТФ. 2014. Т. 84. Вып. 7. С. 152--155
- Koike J., Wada M., Sanada M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81. P. 1017--1019
- Pan W., Shih Y.-T., Lee K. L. et al. // J. Appl. Phys. 2012. Vol. 111. P. 07C113--3
- Corredor E.C., Diez-Ferrer J.L., Coey D. et al. // Journ. of Phys. 2010. Vol. 200. P. 072019--4
- Джумалиев А.С., Никулин Ю.В., Филимонов Ю.А. // Радиотехн. и электрон. 2012. Т. 57. N 5. С. 550--557
- Walton D. // J. Chem. Phys. 1962. Vol. 37. P. 2182--2188
- Futschek T., Hafner J., Marsman M. // J. Phys.: Condens. Matter. 2006. Vol. 18. P. 9703--9748
- Kuznetsov V.M., Kadyrov R.I., Rudenskii G.E. Jour. Mater. Sci. Technol. 1998. Vol. 14. P. 320--322
- Thompson C.V. // Annu. Rev. Mater. Sci. 2000. Vol. 30. P. 159--190
- Masumoto H., Saito H., Murakami Y. // Trans JIM. 1969. Vol. 10. P. 119--123
- Karunaisiri R.P.U., Bruinsma R., Rudnick J. // Phys. Rev. Lett. 1989. Vol. 62. P. 788
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
