Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2016, выпуск 5 » Статья стр. 107
<<<>>>
Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах "металл-диэлектрик-металл" на основе SiOx
Министерство образования и науки Российской Федерации, ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы», уникальный идентификатор прикладных научных исследований RFMEFI57514X0029
Тихов C.B.1, Горшков О.Н. 1, Антонов И.Н. 1, Касаткин А.П. 1, Королев Д.С. 1, Белов А.И. 1, Михайлов А.Н. 1, Тетельбаум Д.И. 1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: tikhov@phys.unn.ru, gorshkov@nifti.unn.ru, ivant@nifti.unn.ru, kasatkin@nifti.unn.ru, dmkorolev@phys.unn.ru, belov@nifti.unn.ru, mian@nifti.unn.ru, tetelbaum@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 17 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.
PDF версия
Для мемристивных структур "металл-диэлектрик-металл" на основе SiOx установлены изменения иммитанса при электроформовке и резистивном переключении, которые подтверждают образование проводящих каналов (филаментов) в диэлектрике при формовке и их прерывание при переходе структуры в состояние с высоким сопротивлением. Обнаружено переключение дифференциальной емкости и проводимости, синхронное с переключением тока (сопротивления), которое может существенно расширить функциональные применения мемристивных устройств данного типа.
  1. Chua L.O. // IEEE Trans. Circuit Theory. 1971. Vol. 18. P. 507-519
  2. Strukov D.B., Snider G.S., Stewart D.R., Williams R.S. // Nature. 2008. Vol. 453. P. 80-83
  3. Chua L. // Appl. Phys. A. 2011. Vol. 102. P. 765-783
  4. Елисеев Н. // Электроника: НТБ. 2010. Т. 8. С. 84-89
  5. Kuzum D., Yu S., PhilipWong H.-S. // Nanotechnology. 2013. Vol. 24. P. 382 001
  6. Thomas A. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2013. Vol. 46. P. 093 001
  7. Дирнлей Дж., Стоунхэм А., Морган Д. // УФН. 1974. Т. 112. Вып. 1. С. 83-128
  8. Mickel P.R., Lohn A.J., Marinella M.J. // Mod. Phys. Lett. B. 2014. Vol. 28. N 10. P. 1 430 003
  9. Yang J.J., Pickett M.D., Li X., Ohlberg D.A.A., Stewart D.R., Williams R.S. // Nature Nanotechnology. 2008. Vol. 3. P. 429-433
  10. Strachan J.P., Yang J.J., Munstermann R., Scholl A., Medeiros-Ribeiro G., Stewart D.R., Williams R.S. // Nanotechnology. 2009. Vol. 20. P. 485 701
  11. Bersuker G., Gilmer D.C., Veksler D., Kirsch P., Vandelli L., Padovani A., Larcher L., McKenna K., Shluger A., Iglesias V., Porti M., Nafri a M. // J. Appl. Phys. 2011. Vol. 110. P. 124 518
  12. Mehonic A., Cueff S., Wojdak M., Hudziak S., Jambois O., Labbe C., Garrido B., Rizk R., Kenyon A.J. // J. Appl. Phys. 2012. Vol. 111. P. 074 507
  13. Liu C.-Y., Shih Y.-R., Huang S.-J. // Sol. State Commun. 2013. Vol. 159. P. 13-17
  14. Wang Y., Qian X., Chen K., Fang Z., Li W., Xu J. // Appl. Phys. Lett. 2013. Vol. 102. P. 042 103
  15. Wang Y., Chen K., Qian X., Fang Z., Li W., Xu J. // Appl. Phys. Lett. 2014. Vol. 104. P. 012 112
  16. Karkkanen I., Shkabko A., Heikkila M., Vehkamaki M., Niinisto J., Aslam N., Meuffels P., Ritala M., Leskela M., Waser R., Hoffmann-Eifert S. // Phys. Stat. Sol. A. 2015. Vol. 212. P. 751--766
  17. Gorshkov O.N., Antonov I.N., Belov A.I., Kasatkin A.P., Mikhaylov A.N. // Technical Phys. Lett. 2014. Vol. 40. N 2. P. 101-103
  18. Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. // Mat. Sci. Eng. B. 2015. Vol. 194. P. 48-54
  19. Эпштейн С.Л. Измерение характеристик конденсаторов. М.-Л.: Энергия, 1965. 235 с
  20. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. Учебное пособие. М.: Высшая школа, 1977. 448 с
  21. Yao J., Zhong L., Natelson D., Tour J.M. // Scientific Reports. 2012. Vol. 2:242. P. 1-5
  22. Xia G., Ma Z., Jiang X., Yang H., Xu J., Xu L., Li W., Chen K., Feng D. // J. Non-Cryst. Sol. 2012. Vol. 358. P. 2348-2352
  23. Mehonic A., Vrajitoarea A., Cueff S., Hudziak S., Howe H., Labbe C., Rizk R., Pepper M., Kenyon A.J. // Scientific Reports. 2013. Vol. 3. P. 2708
  24. Glazman L.I. // J. Low Temp. Phys. 2000. Vol. 118. N 5/6. P. 247-269.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme