Влияние термоотжига на структуру нанокомпозитных пленок ZnSe/Al2O3
Дедюхин А.А.1, Крылов П.Н.1, Костенков Н.В.1, Закирова Р.М.1, Федотова И.В.1
1Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
Email: ftt@udsu.ru
Поступила в редакцию: 13 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.
Исследованы нанокомпозитные пленки ZnSe/Al2O3, синтезированные методом лазерного напыления с последующей термической обработкой. Рентгенодифракционные и электронномикроскопические исследования свеженапыленных пленок показали наличие кристаллитов ZnSe в аморфной матрице Al2O3. Отжиг приводит к изменению структуры ZnSe и Al2O3, увеличению размеров кристаллитов ZnSe и появлению фазы ZnSeO4. Наличие слоев оксида алюминия способствует понижению температуры фазового перехода селенида цинка.
- Покутний С.И. // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 6. С. 780--793
- Kanemitsu Y. // Phys. Rep. 1995. Vol. 263. P. 1--92
- Cullis A.G., Canham L.T., Calcott P.D.J. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82. N 3. P. 909--965
- Kovalev D., Heckler H., Polisski G., Koch F. // Phys. Stat. Sol. B. 1999. Vol. 215. N 2. P. 871--932
- Bisi O., Ossicini S., Pavesi L. // Surf. Sci. Rep. 2000. Vol. 38. P. 1--136
- Kryuchenko Yu.V., Sachenko A.V. // Phys. E. 2002. Vol. 14. N 1. P. 299--312
- Kouklin N., Menon L., Wong A.Z., Thompson D.W., Woollam J.A., Williams P.F., Bandypadhyay S. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79. N 26. P. 4423--4425
- Лисовский И.П., Злобин С.А., Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Бегун Е.В. // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 5. С. 560--566
- Дедюхин А.А., Закирова Р.М., Костенков Н.В., Крылов П.Н., Федотова И.В. // Вакуумная техника и технология. 2009. Т. 19. Вып. 1. С. 33--36
- Ветошкин В.М., Дедюхин А.А., Крылов П.Н., Федотова И.В. // Химическая физика и мезоскопия. 2009. Т. 11. Вып. 2. С. 223--228
- Роко М.К., Уильямса Р.С., Аливисатоса П. Нанотехнология в ближайшем десятилетии. Прогноз направления исследований. М.: Мир, 2002. 292 с. [Пер. с англ.: M.K. Roco, R.S. Williams, P. Alivisatos (Eds). Nanotechnology Research Directions: IWGN Workshop Report: Vision for Nanotechnology in the Next Decade (Dordrecht: Kluwer Acad. Publ., 2000)]
- Новодворский О.А. Импульсное лазерное напыление тонких пленок и наноразмерных структур для активных сред лазеров. Автореф. канд. дис. // Шатура. 2012
- Бекетова З.П., Гапонов С.В., Каверин Б.С., Нестеров Б.А., Салащенко Н.Н. // Изв. вузов. Радиофизика. 1975. Т. 18. Вып. 6. С. 908--909
- Гапонов С.В., Лускин Б.М., Нестеров Б.А., Салащенко Н.Н. // Письма в ЖТФ. 1977. Т. 3. Вып. 12. С. 573--576
- Гапонов С.В., Лускин Б.М., Салащенко Н.Н. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. Вып. 9. С. 516--521
- Lubben D., Barnett S.A., Suzuki K., Gorbatkin S., Greene J.E. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1985. Vol. 3. N. 4. P. 968--974
- Соболь Э.Н., Свиридов А.П., Баграташвили В.Н., Буримов В.Н., Окороков В.Н. // Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1992. Т. 5. Вып. 1. С. 128--132
- Бояркин О.В., Буримое В.Н,. Голубев В.С., Жерихин А.Н., Попков В.Л. // Изв. АН. Сер. Физика. 1993. Т. 52. Вып. 12. С. 90--98
- Жигалов В.С. Особенности структуры, фазовых состояний и магнитных свойств нанокомпозиционных пленок 3d-металлов, полученных сверхбыстрой конденсацией. Автореф. канд. дис. // Красноярск. 2003
- Андриевский Р.А. // Успехи химии. 2002. Т. 71. Вып. 10. С. 967--810
- Стукалов О.М., Мисевич А.В., Почтенный А.Е., Галлямов М.О., Яминский И.В. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2000. Вып. 11. С. 94--96
- Бажен А.И., Покинтелица А.Е., Щеглова Н.С., Ступак В.А., Троцан А.Н. // Актуальнi проблеми фiзикохiмiчного матерiалознавства. 2013. Вып. 4 (102). С. 109--116
- Дедюхин А.А., Крылов П.Н., Федотова И.В. // ВТТ. 2010. Т. 20. Вып. 1. С. 9--12
- Алалыкин C.С., Крылов П.Н. // ПТЭ. 2005. Вып. 2. С. 149--150
- Хасс Г., Тун Р.Э. Физика тонких пленок. / Пер. с англ. М.: Мир, 1968. Т. 3. 331 с
- Кулаков М.П., Кулаковский В.Д., Савченко И.Б., Фадеев А.В. // ФТТ. 1976. Т. 18. Вып. 3. С. 909--911
- Jiang H.-Q., Yao X., Che J., Wan X., Wang M.-Q. // J. Electroceram. 2008. N 21. P. 733--736
- Kim H., Jin C., An S., Lee C. // Bull. Korean Chem. Soc. 2012 Vol. 33. N 2. P. 398--402
- Торопов Н.А., Барзаковский В.П., Бондарь И.А., Удалов Ю.П. Диаграммы состояния силикатных систем. Л.: Наука, 1970. 372 с
- Batra I.P. // J. Phys. C. 1982. Vol. 15. P. 5399--5410
- Zatsepin D.A., Galakhov V.R., Gizhevskii B.A., Kurmaev E.Z., Fedorenko V.V., Samokhvalov A.A., Naumov S.V. // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 59. P. 211--214
- Зацепин Д.А., Черкашенко В.М., Курмаев Э.З., Шамин С.Н., Федоренко В.В., Скориков Н.А., Пластинин С.В., Гаврилов Н.В., Медведев А.И., Чолах С.О. // ФТТ. 2004. Т. 46. Вып. 11. С. 2064--2069
- Середин П.В., Голощапов Д.Л., Лукин А.Н., Леньшин А.С., Бондарев А.Д., Арсентьев И.Н., Вавилова Л.С., Тарасов И.С. // ФТП. 2014. Т. 48. Вып. 11. С. 1564--1569
- Lin H.C., Ye P.D., Wilk G.D. // Appl. Phys. Lett. 2005. Vol. 87. P. 182904
- Xuan Y., Wu Y.Q., Lin H.C., Shen T., Peide D.Ye. // IEEE Electron. Dev. Lett. 2007. Vol. 28. N 11. P. 935--938
- Chou T.C., Nieh T.G., McAdams S.D., Pharr G.M. // Scripta Met. 1991. Vol. 25. P. 2203--2208
- Борисова А.Л., Адеева Д.И., Сладкова В.Н. // Автомaт. Сварка. 1997. N 9 (534). С. 26--32
- Крушинская Л.А., Стельмах Я.А. // ВАНТ. Сер.: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. 2011. Т. 19. N 6. С. 92--98
- Hoetzsch G., Zywitzki O., Sahm H. 40th Annual Tech. Conf. of the Society of Vacuum Coaters. April 12-17. USA. NeW Orlean. 1997. P. 77
- Лунев И.В., Падалка В.Г. // Металлофизика и новейшие технологии. 2000. Т. 22. Вып. 2. С. 36--41
- Осипов К.А., Борович Т.Л., Орлов И.И. // Неорганич. материалы. 1971. Т. VII. Вып. 11. 1970--1974
- Энциклопедия неорганических материалов. Киев: Укр. Сов. энциклопедия. 1977. Т. 2. 840 с
- Мовчан Б.А., Молодкина Т.А. // ФиХОМ. 1978. Вып. 3. С. 107--110
- Стручева Н.Е., Картавых В.Д., Новоженов В.А. // Известия АлтГУ. 2010. N 3--2. 177--181
- Бахтадзе В.Ш., Мосидзе В.П., Картвелишвили Д.Г., Джанджгава Р.В., Харабадзе Н.Д. // Катализ в промышленности. 2012. Вып. 2. С. 56--63
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.