Полупроводниковый диодный наносекундный размыкатель тока с плотностью до десятков kA/сm² (SOS-диод) представляет собой кремниевую p⁺p'Nn⁺-структуру, создаваемую путем одновременной глубокой (~200 mum) диффузией в кремний n-типа проводимости алюминия и бора с одной стороны пластины и фосфора с другой. При работе в SOS-режиме через диод пропускается короткий импульс прямого тока, а затем прикладывается быстронарастающий импульс обратного напряжения, протекающий при этом импульс обратного тока сопровождается выносом инжектированных дырок и образованием движущегося к p'N-переходу плазменного фронта в p'-слое. Когда концентрация дырок в потоке превышает уровень легирования p'-слоя, в этом слое возникает область объемного заряда, сопротивление диода резко возрастает и ток переходит во включенную параллельно диоду цепь нагрузки. Приведены первые результаты исследования альтернативной конструкции SOS-диода, которая создавалась путем короткой одновременной диффузии на глубину 60-80 mum бора и фосфора с противоположных сторон кремниевой пластины p-типа проводимости. В такой p⁺pn⁺-структуре после пропускания короткого импульса прямого тока и приложения затем импульса обратного напряжения образующийся в p⁺-области плазменный фронт движется к p⁺p-границе по p⁺-области с высоким уровнем легирования, т. е. с малым сопротивлением. После пересечения этой границы фронт переходит в область с низким уровнем легирования, где концентрация дырок в потоке оказывается намного выше этого уровня и сразу формируется область объемного заряда, приводящая к переходу тока в нагрузку. Экспериментально показано, что в примерно равных условиях время обрыва тока в таком p-SOS-диоде примерно вдвое меньше, чем в обычных n-SOS-диодах, и существенно меньше коммутационные потери, а технология изготовления намного проще. Намечены пути оптимизации конструкции полупроводниковой структуры p-SOS-диодов для дальнейшего повышения быстродействия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.